그 전 2주보다 비슷한 정도로 이야기되고 있습니다비슷하다
「새로」는 그 전 2주에는 함께 나오지 않던 이름·주제입니다.
막대가 높을수록 그 주에 더 자주 이야기됐다는 뜻입니다. 빈 칸은 판단할 만큼 소식이 없던 기간이고, 맨 끝 칸은 아직 기간이 덜 찼을 수 있습니다.
톰스하드웨어가 TeamGroup의 PCIe 5.0 SSD 'GA Pro' 2TB 모델을 리뷰했다. 이 제품은 InnoGrit IG5666 컨트롤러와 YMTC 232단 TLC 낸드, DDR4 D램을 탑재했지만 컨트롤러 펌웨어 문제로 동급 PCIe 5.0 드라이브 대비 성능이 기대에 미치지 못한다고 평가했다. 그래핀 방열 라벨이 적용됐지만 발열을 충분히 잡지 못해 별도 히트싱크 장착이 필요하다고 밝혔다. 라벨상 전력 소비는 8.25W로 표기됐으나 실측 피크 전력은 12.5W를 넘어섰다고 전했다. 매체는 Crucial T700, Cor…
The Information은 TSMC가 엔비디아의 요청으로 3D D램 생산을 검토하고 있다고 보도했으나, TSMC는 자사가 순수 파운드리 업체이며 이 사업 모델을 유지할 것이라며 보도를 부인했다. 그러나 보도에 관여한 두 관계자는 TSMC가 엔비디아 요청에 따라 3D D램 생산 계획을 준비하기 시작했으며, 패키징 담당 부사장이자 전 마이크론 대만법인장인 Hsu Kuo-chin이 이를 총괄하고 있다고 전했다. 이번 논의는 AI 반도체 수요 급증으로 D램 공급이 전략 자산으로 부상한 상황에서 나왔다. 마이크론, 삼성전자, SK하이닉…
조지아텍 스핀오프 Nagare Labs가 SRAM 속도와 DRAM 밀도를 동시에 겨냥한 메모리 셀 Z2RAM을 공개했다. 이 회사는 팻 겔싱어 전 인텔 CEO의 투자를 받았으며, Z2RAM은 트랜지스터 2개와 차단막으로 구성돼 커패시터 없이 데이터를 저장하는 게인 셀 구조다. 창업자들의 논문에 따르면 85도 조건에서 300초 이상 데이터를 유지한 실험 결과가 있으며, 1세대 제품은 6개 층 적층으로 SRAM 대비 5배 밀도, DRAM 대비 14배 속도, SRAM 대비 3배 낮은 읽기 에너지를 목표로 한다고 회사는 밝혔다. 인터포저…
메모리 기판 전문업체 티엘비가 5일 3분기 연결 기준 매출 939억6500만원, 영업이익 165억9500만원을 기록했다고 공시했다. 매출은 전년 동기 대비 36.4%, 영업이익은 91.8% 늘어 사상 최대 분기 매출을 기록했다. 전분기 대비로도 매출은 6.5%, 영업이익은 29.9% 증가했다. 영업이익률은 17.7%로 전년 동기 대비 5.1%포인트, 전분기 대비 3.2%포인트 올랐다. 회사는 AI 서버용 SOCAMM2 기판 공급 확대로 고부가 제품 비중이 커진 것을 실적 개선 요인으로 들었다.
카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자가 3분기 D램 시장에서 점유율 38%로 1위를 지켰다. SK하이닉스는 29%, 마이크론은 21%, CXMT는 9%로 뒤를 이었다. 삼성전자는 고대역폭메모리(HBM) 판매 확대에 힘입어 실적 성장을 이어가고 있다고 설명됐다. 앞서 지난해 1분기에는 HBM 공급 차질로 1위 자리를 SK하이닉스에 내준 적이 있다.
대만 메모리 제조사 매크로닉스가 닌텐도 스위치와 스위치2 게임 카트리지에 쓰이는 ROM 칩 생산을 단계적으로 중단하고, AI 데이터센터용 NOR·NAND 플래시 생산에 집중한다고 복수의 보도가 전했다. 애널리스트 데이비드 깁슨은 매크로닉스의 3분기 ROM 매출 비중이 전년보다 크게 줄었으며 신규 ROM 제품도 더 이상 내놓지 않을 것이라고 밝혔다. 타이베이타임스도 매크로닉스가 ROM 사업에서 점진적으로 철수하고 있다고 보도했으며, 회사의 자본지출은 낸드 플래시 생산능력 확대와 eMMC·3D 낸드용 투자로 배정됐다. 닌텐도는 ROH…
마이크론이 향후 D램과 낸드 로드맵을 공개하며, 경쟁사인 CXMT·삼성전자·SK하이닉스와 달리 4F2 셀 기반 D램 개발 계획을 접고 6F2 셀 기반 공정을 이어가기로 했다고 밝혔다. 회사는 차세대 1δ(1-델타) 공정을 2027년 하반기 양산할 예정이며, 이후 웨이퍼 본딩을 적용하는 1ε 공정과 하이-NA EUV 리소그래피를 도입하는 ζÅ 공정, 신소재를 활용하는 ηÅ 공정을 순차적으로 개발하고 있다고 설명했다. 이와 병행해 3D1, 3D2로 불리는 3D D램 두 세대도 개발 중이며, 기존 평면 D램과 비용·성능 면에서 경쟁력을…
서울대 연구진이 TiN 전극 및 계면 설계를 통해 강유전체 HZO(하프늄지르코늄옥사이드) 커패시터의 속도-내구성 딜레마를 해결한 연구 결과를 네이처 커뮤니케이션즈에 발표했다. 연구팀은 0.6V에서 42.1ns, 1.0V에서 8.1ns의 분극 스위칭 속도를 구현했으며, 0.6V 조건에서 분극 손실 20% 기준으로 수천억 회의 스위칭 사이클과 10^12회의 양극성 사이클링에서도 전기적 파괴 없이 동작함을 확인했다. 이를 바탕으로 연구팀은 트랜지스터 1개와 커패시터 1개로 구성된 공통 플레이트 강유전체 램(CP-FeRAM) 구조를 제안…