마이크론 D램 로드맵, 4F2 포기하고 웨이퍼본딩·3D D램 택해

마이크론이 향후 D램과 낸드 로드맵을 공개하며, 경쟁사인 CXMT·삼성전자·SK하이닉스와 달리 4F2 셀 기반 D램 개발 계획을 접고 6F2 셀 기반 공정을 이어가기로 했다고 밝혔다. 회사는 차세대 1δ(1-델타) 공정을 2027년 하반기 양산할 예정이며, 이후 웨이퍼 본딩을 적용하는 1ε 공정과 하이-NA EUV 리소그래피를 도입하는 ζÅ 공정, 신소재를 활용하는 ηÅ 공정을 순차적으로 개발하고 있다고 설명했다. 이와 병행해 3D1, 3D2로 불리는 3D D램 두 세대도 개발 중이며, 기존 평면 D램과 비용·성능 면에서 경쟁력을 갖출 때 도입할 계획이라고 밝혔다. 마이크론은 또한 HBM4E, HBM5, HBM5E와 수직 구조의 vHBM, vEIM 등 AI 워크로드에 맞춘 커스텀 메모리 제품 포트폴리오를 확대할 계획이라고 전했다.

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