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메모리(DRAM·NAND·HBM)

HZO 강유전체 커패시터, 서울대서 서브볼트 고속 스위칭 구현

Semiconductor Engineering2026-11-031분 읽기영문 원문
분야 자료 사진 — 웨이퍼 스케일 집적 웨이퍼 · Richfiles · CC0 (기사 원문의 사진이 아닙니다)

서울대 연구진이 TiN 전극 및 계면 설계를 통해 강유전체 HZO(하프늄지르코늄옥사이드) 커패시터의 속도-내구성 딜레마를 해결한 연구 결과를 네이처 커뮤니케이션즈에 발표했다. 연구팀은 0.6V에서 42.1ns, 1.0V에서 8.1ns의 분극 스위칭 속도를 구현했으며, 0.6V 조건에서 분극 손실 20% 기준으로 수천억 회의 스위칭 사이클과 10^12회의 양극성 사이클링에서도 전기적 파괴 없이 동작함을 확인했다. 이를 바탕으로 연구팀은 트랜지스터 1개와 커패시터 1개로 구성된 공통 플레이트 강유전체 램(CP-FeRAM) 구조를 제안하고 회로 시뮬레이션으로 읽기 동작을 평가했다. 이 구조는 저장된 전하가 감소한 뒤에도 분극 상태를 감지하는 방식으로, D램형 메모리에 적용 가능한 경로로 제시됐다.

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#HZO#FeRAM#강유전체커패시터#서울대#CP-FeRAM

이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: Semiconductor Engineering 「Fast, Sub-Volt HZO Ferroelectric Capacitors For DRAM-Like Memory (SNU)」

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올트먼 가정용 D램 비판에 머스크 반박, 메모리 수급난 부각

샘 올트먼 오픈AI CEO는 유튜브 채널 Cheeky Pint에 출연해 가정용 컴퓨터에 D램을 두는 것이 '매우 끔찍하다'며, 활용률이 낮은 개인용 PC 대신 제한된 D램 공급을 AI 데이터센터에 집중해야 한다고 주장했다. 일론 머스크는 자신의 X 계정에 이를 비꼬는 밈을 올리고 '사람들도 자신의 램을 가질 자격이 있다'며 반박했다. 기사는 이 발언이 D램과 PC 가격이 전반적으로 오르는 시점에 나왔다고 짚었으며, 삼성전자와 SK하이닉스가 AI發 메모리 공급 부족이 2027년 이후까지 이어질 것이라고 경고했다는 점도 전했다. 레노버도 가격이 2026년 이전 수준으로 돌아가지 않을 수 있다고 밝힌 바 있다고 소개했다.

Tom's Hardware2026-11-02

Macronix, AI용 플래시 확장 — HBM 수요로 메모리 재편

EE Times는 AI발 고대역폭메모리(HBM) 수요가 메모리 시장 구조를 바꾸고 있으며, 이 흐름 속에서 성숙 공정 플래시 제품에 대한 수요도 늘고 있다고 전했다. 대만 플래시 메모리 업체 Macronix는 이러한 AI 워크로드 수요에 대응해 플래시 제품 포트폴리오를 확장하고 있다. 기사는 AI 붐이 메모리 산업 전반에 영향을 미치고 있다고 설명했다.

EE Times2026-11-02

비윈 M560, D램 없는 PCIe 5.0 SSD로 발열·전력 효율 입증

Tom's Hardware가 비윈(Biwin)의 2TB SSD 'M560'을 리뷰했다. 이 제품은 SMI의 SM2504XT 컨트롤러를 탑재한 DRAM-less(D램 없는) PCIe 5.0 SSD로 HMB 방식을 사용하며, 낸드는 키오시아의 218단 BiCS8 TLC다. 순차 읽기 11,000MB/s, 순차 쓰기 10,000MB/s이며 랜덤 읽기·쓰기 모두 최대 1,700K IOPS를 지원한다. 전력 소모는 평균 약 4W 수준으로 낮아 발열 관리에 유리하다고 매체는 평가했다. 보증은 5년이며 1TB와 2TB 두 용량으로만 출시된다.

Tom's Hardware2026-11-01

메모리 업계 AI 집중, 구형 부품 공급난 우려 확산

AI가 반도체 산업 전반에 영향을 미치면서 그 파급효과가 데이터센터를 넘어 확산되고 있다고 EE Times가 보도했다. 메모리 제조사들이 AI向 수요에 맞춰 생산 능력과 투자를 우선 배정하면서, 다른 용도의 메모리 부품 수급 환경이 변화하고 있다고 전했다. 이에 따라 제품 설계자들이 장기간 안정적으로 활용할 수 있는 '구식화 저항성(obsolescence-resilient)' 제품 수명주기 설계 전략을 모색하고 있다고 보도했다.

EE Times2026-11-01

삼성전자·SK하이닉스 3분기 최대 실적, HBM 수급난 2028년까지

삼성전자와 SK하이닉스가 3분기 나란히 역대 최대 영업이익을 기록했다. 삼성전자 DS부문은 106조 5000억원, SK하이닉스는 83조 3000억원의 영업이익을 냈으며 HBM과 eSSD 등 고부가품 판매가 실적을 이끌었다. 양사는 컨퍼런스콜에서 2027년 HBM 공급물량이 이미 솔드아웃됐고, D램·HBM 수급 빠듯함이 2028년 이후까지 이어질 것이라고 밝혔다. 삼성전자는 2030년까지 생산능력의 60~70%를 장기공급계약(LTA)으로 채울 계획이며, SK하이닉스는 LTA 고객사를 10곳에서 14곳으로 늘렸다고 설명했다.

ZDNet Korea2026-11-01

범용 D램 가격 19개월 연속 상승 — HBM 생산 확대로 공급 감소

시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 PC용 D램인 DDR4 8Gb 가격이 10월에도 전달 대비 상승해 19개월 연속 오름세를 이어갔다. 반면 범용 낸드 가격은 21개월 만에 상승세가 멈췄다. D램 공급업체들이 고대역폭메모리(HBM) 등 서버용 메모리 생산을 늘리면서 범용 D램 공급이 줄어든 것이 가격 상승의 배경으로 지목됐다. D램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 내년 한국 D램 업체들의 PC용 D램 생산량이 전년 대비 20~40% 감소할 것으로 예상했다.

디일렉 반도체2026-10-30

D램 가격 또 최고치, HBM·서버용 전환으로 PC용 공급 급감

트렌드포스 산하 D램익스체인지에 따르면 10월 PC용 D램 범용제품의 평균 고정거래가격이 전월 대비 5.77% 상승하며 다시 최고치를 기록했다. 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 D램 제조사가 생산 라인을 HBM과 서버용 D램 중심으로 전환하면서 PC용 D램 공급이 줄어든 것이 원인으로 꼽힌다. 트렌드포스는 국내 D램 제조사의 내년 PC용 D램 생산량이 전년 대비 20% 이상, 많게는 40% 이상 줄어들 것으로 추산했다. 반면 메모리카드·USB용 낸드플래시 범용제품 가격은 전월과 동일한 수준을 유지하며 21개월 연속 상승 행진을 멈췄다. 트렌드포스는 MLC 제품이 이미 고점에 도달하고 수급 차질이 겹치면서 고객사들이 SLC 전환이나 TLC 사양 상향에 나서고 있다고 설명했다.

ZDNet Korea2026-10-30

삼성전자, 3분기 영업이익 80조원대 — AI 메모리 수요가 견인

삼성전자는 2026년 3분기 연결 매출 195.3조원, 영업이익 107.4조원을 기록했다고 발표했다. 회사 측은 이번 실적이 AI용 메모리 반도체에 대한 전세계 수요 강세에 힘입은 결과라고 설명했다.

EE Times2026-10-29