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“크립톤” 검색 결과
총 4건의 결과
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뉴스 4
Phys.org Quantum · 양자센싱
Yu-Han Tseng 연구팀, 레이저 포획 100nm 나노입자로 크립톤·제논 개별 충돌 모멘텀 첫 측정
초고진공 챔버 내 레이저 포획된 직경 100나노미터 실리카 구체를 이용해, 기체 분자 한 개짜리 충돌이 나노입자에 전달하는 운동량을 개별적으로 검출하는 데 성공했다. 2026년 10월 Physical Review Letters에 게재된 이 연구는 초정밀 진공 압력 표준, 양자계 결맞음 해석, 나아가 암흑물질·중성미자 질량 탐색으로의 응용 가능성을 열었다.
2026년 10월 20일
Quantum Computing Report · 양자컴퓨팅
코넬대, 크립톤 스퍼터링으로 탄탈럼 큐비트 증착 온도 200°C 달성
코넬대 Valla Fatemi 조교수 연구팀이 마그네트론 스퍼터링 공정에서 아르곤 대신 크립톤 가스를 적용해 실리콘 기판 위 α상 탄탈럼 박막의 증착 가능 온도를 기존 400°C 이상에서 200°C로 낮추는 데 성공했다. 해당 연구는 Nature Materials에 게재됐으며, 상용 반도체 파운드리의 후공정(BEOL) 열예산 범위 안에서 고성능 초전도 큐비트를 제조할 수 있는 경로를 제시했다.
2026년 8월 19일
The Quantum Insider · 양자소재·소자
크립톤 스퍼터링으로 탄탈럼 초전도 칩 증착 온도 절반 낮춰
코넬대학교 연구진이 크립톤 가스를 활용한 스퍼터링 공정을 개발해 탄탈럼 초전도 박막의 실리콘 기판 증착 온도를 기존 400°C 이상에서 200°C로 낮추는 데 성공했다. 이 연구는 2026년 8월 18일 Nature Materials에 게재됐으며, 상용 반도체 공정과의 통합 가능성을 높인 성과로 평가된다.
2026년 8월 19일
Phys.org Quantum · 양자컴퓨팅
크립톤 스퍼터링으로 탄탈럼 증착 온도 절반 낮춰 양자칩 공정 병목 완화
Cornell대 연구팀이 크립톤 가스를 이온화 매질로 활용한 스퍼터링 기법으로 초전도 금속 탄탈럼의 실리콘 기판 증착 온도를 기존 400°C 이상에서 200°C로 낮추는 데 성공했다. 해당 연구 결과는 Nature Materials에 2026년 게재됐으며, 양자 칩 양산 공정의 핵심 병목 중 하나를 해소할 수 있는 경로로 평가된다.
2026년 8월 18일