오늘의 메모리 가격
원문 표를 그대로 옮긴 값입니다. 카드의 작은 그래프는 우리가 매일 남긴 평균가이고, 품목마다 세로축을 따로 맞춰 0 에서 시작하지 않습니다.
DDR3 4Gb 512Mx8 1600/1866
범용 현물가14.078USD/칩보합현물DRAMDDR4 16Gb (2Gx8) 3200
범용 현물가82.719USD/칩보합현물DRAMDDR4 16Gb (2Gx8) eTT
미검사 다이(eTT) 현물가13.675USD/칩보합현물DRAMDDR4 8Gb (1Gx8) 3200
범용 현물가46.821USD/칩보합현물DRAMDDR4 8Gb (1Gx8) eTT
미검사 다이(eTT) 현물가5.950USD/칩보합현물DRAMDDR5 16Gb (2Gx8) 4800/5600
범용 현물가61.500USD/칩보합현물DRAMDDR5 16Gb (2Gx8) eTT
미검사 다이(eTT) 현물가30.000USD/칩보합DDR3 4Gb 256Mx16
범용 고정거래가15.200USD/모듈보합고정거래DRAMDDR4 16Gb 2Gx8
범용 고정거래가52.000USD/모듈▲ +4.00%고정거래DRAMDDR4 16GB SO-DIMM
노트북용 모듈 고정거래가275.00USD/모듈▲ +1.85%고정거래DRAMDDR4 4Gb 256Mx16
범용 고정거래가15.500USD/모듈▲ +1.97%고정거래DRAMDDR4 8Gb 1Gx8
범용 고정거래가26.000USD/모듈▲ +4.00%고정거래DRAMDDR4 8GB SO-DIMM
노트북용 모듈 고정거래가148.00USD/모듈▲ +4.23%고정거래DRAMDDR5 8GB SO-DIMM
노트북용 모듈 고정거래가133.00USD/모듈보합우리 이력에서 많이 움직인 품목
11월 3일 · 직전 관측 대비
이력은 소급해서 만들 수 없습니다
오늘 남기지 않은 가격은 내일 되살릴 수 없습니다. 그래서 화면보다 수집을 먼저 켰고, 2026-08-30부터 66일째 하루도 빼지 않고 쌓고 있습니다.
변동 이력 보기오늘의 읽을거리
속보 경쟁은 하지 않습니다. 원문을 한국어로 요약하고, 큐레이터 노트로 원문에 없는 맥락을 붙였습니다.
HBM 밀수출, 저가 프로세서에 숨겨 수출통제 우회해 중국 유입
이는 서버 프로세서의 성능만 기준으로 삼는 현행 수출통제 규정이 부착 부품까지는 심사하지 않는 사각지대를 보여주는 사례다.
- 1스팀 하드웨어 설문, 32GB RAM 비중 급감 — 메모리 공급난 체감 확산Tom's Hardware · 2026-11-03
- 2엔비디아 DGX 스파크 대량구매에 아마존 계정 정지, 로컬 AI 추론 수요 부각Tom's Hardware · 2026-11-03
- 3반도체 장비 리드타임 급증, AI 설비투자 경쟁 반영전자신문 · 2026-11-03
- 4마벨, 포토닉스 기업 루멘텀 인수 — AI 커넥티비티 강화EE Times · 2026-11-03
- 5삼성전자, UMC에 DDI 웨이퍼 증산 요청 — 폴더블폰 수요 급증 공급차질전자신문 · 2026-11-03
반도체는 어떻게 만들어지나
앞 단계가 막히면 뒤가 멈춥니다. 분류를 나열하는 대신 순서대로 놓고, 단계마다 기업을 모았습니다.
오늘의 국내 기업
매일 한 곳씩 소개합니다. 회사 소개가 아니라 밸류체인에서의 위치를 적습니다.
장비
노광·식각·증착·세정·검사. 진입장벽이 가장 높은 층.
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국내 14곳소재
웨이퍼·포토레지스트·특수가스·CMP 슬러리·전구체.
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국내 14곳테스트·계측
프로브카드·테스트 소켓·번인·검사 장비.
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국내 11곳팹리스
설계만 하고 생산은 맡긴다. AI 가속기·모바일 AP·MCU.
기업 보기국내 8곳부품·소모품
챔버 부품·쿼츠·세라믹·링. 교체 주기가 있어 수요가 반복된다.
기업 보기국내 5곳OSAT(패키징·테스트)
후공정 외주. HBM·첨단 패키징으로 위상이 올라갔다.
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국내 5곳기판·PCB
FC-BGA 등 패키지 기판. 공급 병목이 반복되는 구간.
기업 보기국내 3곳파운드리
남의 설계를 받아 생산만 한다. 공정 노드 경쟁의 무대.
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국내 3곳디자인하우스
팹리스의 설계를 파운드리 공정에 맞춰 구현해 넘긴다. 국내에 층이 두껍다.
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국내 2곳IDM(종합반도체)
설계부터 생산까지 자사가 다 한다. 메모리 3사가 여기 있다.
기업 보기국내 2곳EDA·IP
설계 도구와 설계 자산. 3사 과점 + IP 라이선스.
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파운드리 공정 로드맵
왼쪽이 오래된 세대, 오른쪽이 최신 세대입니다. 검정은 양산, 점선은 개발·발표, 취소선은 취소·축소.
오늘의 용어
정의에 수치를 넣지 않습니다. 수치는 낡고, 낡은 수치는 정의를 통째로 틀리게 만듭니다.
팹입문해설
Fab웨이퍼를 가공하는 공장. 청정도·진동·전력·초순수 요구가 극단적이라 부지 선정부터 제약이 크다.
노광입문해설
Photolithography빛으로 회로 패턴을 웨이퍼에 새기는 단계. 이 단계의 해상도가 곧 공정 미세화의 한계를 정한다.
다이입문해설
Die웨이퍼 위에서 잘라낸 칩 하나. 다이가 클수록 웨이퍼 한 장에서 나오는 개수가 줄고 결함에 걸릴 확률이 커진다.
수율입문해설
Yield만든 것 중 쓸 수 있는 것의 비율. 공정 기술의 성패를 가르는 실질 지표이고, 새 노드의 원가는 사실상 수율이 결정한다.
식각입문해설
Etching노광으로 그린 패턴을 따라 깎아내는 단계. 3D NAND 처럼 깊게 파는 구조에서는 이 단계가 난이도의 중심이 된다.
증착입문해설
Deposition웨이퍼 위에 얇은 막을 입히는 단계. CVD·PVD·ALD 로 나뉘고, 미세화가 진행될수록 ALD 비중이 커진다.
마스크중급해설
Photomask노광에 쓰는 회로 패턴 원판. 층마다 필요해서 노드가 미세해질수록 마스크 세트 비용이 급격히 오른다.
웨이퍼입문해설
Wafer반도체를 만드는 원판. 실리콘 잉곳을 얇게 잘라 거울처럼 다듬은 것으로, 이 한 장 위에 수백~수천 개의 칩이 함께 만들어진다.
전공정입문해설
FEOL / Front-end웨이퍼 위에 트랜지스터와 배선을 만드는 단계. 노광·식각·증착·평탄화를 수백 번 반복한다.
결함밀도고급해설
Defect Density단위 면적당 치명 결함의 수. 다이 크기와 함께 수율을 결정하는 값이라 새 노드의 성숙도를 가늠하는 지표로 쓰인다.
오버레이고급해설
Overlay층과 층 사이의 정렬 오차. 미세화가 진행될수록 이 오차의 허용치가 줄어 계측 장비의 중요도가 올라간다.
멀티패터닝고급해설
Multi-patterning한 층을 여러 번 나눠 찍어 더 촘촘한 패턴을 만드는 기법. 공정 단계가 늘어 원가와 변동이 함께 커진다.