정부·삼성·SK, 연산성능 100배 반도체 개발 착수
요약
과학기술정보통신부가 10월 14일 서울 중구 달개비에서 'K-문샷' 반도체 분야 운영위원회·기술위원회 출범식을 열었다. 정부와 삼성전자, SK하이닉스, 주성엔지니어링, 한국전자통신연구원 등 민관이 함께 현재 대비 연산 성능과 소모 전력을 100배 개선한 반도체 개발에 나선다. 소자·메모리·패키징 기술을 유기적으로 연계해 AI 연산 급증에 따른 메모리 병목과 전력 과다 소모 문제를 해결하는 것이 목표다.
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이 일이 어디서 왔나
같은 날 열린 'SEDEX 2026'에서 삼성전자는 HBM을 수직으로 쌓는 적층 구조를, SK하이닉스는 HBM 대비 용량 10배인 고대역폭플래시(HBF)와 3D 적층 D램 구상을 각각 공개했다. 두 회사 모두 AI 연산 급증에 따른 메모리 병목과 전력 문제를 메모리 기술로 풀겠다는 방향을 제시한 상태였고, 이번 'K-문샷'은 이 흐름을 정부 주도 민관 공동 과제로 묶어 소자·메모리·패키징 전 단계에서 100배 성능·전력 개선을 목표로 내세운 것이다.
짚어야 할 점
- 삼성전자·SK하이닉스가 이미 각자 발표한 HBM 적층, HBF, 3D D램 로드맵과 이번 정부 주도 'K-문샷' 과제가 어떻게 역할을 나누는지가 관전 포인트다.
- 소자·메모리·패키징을 '유기적으로 연계'한다는 목표는 포괄적이어서, 실제 어떤 세부 기술에 자원이 집중되는지가 중요하다.
- 주성엔지니어링·ETRI 등 참여 기관이 명시된 만큼, 대기업 중심 기술과 중소·연구기관 역량이 실제로 맞물릴지도 지켜볼 지점이다.
아직 확인되지 않은 것
- 100배 성능·전력 개선이라는 목표를 언제까지 달성하겠다는 것인지 구체적 일정은 확인되지 않았다.
- 이 과제에 투입되는 예산 규모나 삼성·SK하이닉스 등 참여 기업의 분담 방식은 나오지 않았다.
- 삼성전자의 HBM 적층, SK하이닉스의 HBF·3D D램 등 기존 발표 기술이 이번 'K-문샷' 과제 안에 포함되는지, 별개로 진행되는지는 밝혀지지 않았다.
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