인피니언, 오스트리아 빌라흐에 11억 유로 투자… 300mm GaN 반도체 양산 추진

인피니언이 오스트리아 빌라흐 공장에 2034년까지 약 11억 유로를 투자한다고 밝혔다. 기존 클린룸 설비를 활용·현대화해 생산능력을 늘리는 방식이다. 300mm 웨이퍼를 쓰는 질화갈륨(GaN) 전력반도체 양산은 2027년 말 시작할 예정이다. 요헨 하네벡 인피니언 테크놀로지스 CEO는 300mm 웨이퍼 기반 양산 체제를 갖추면 "GaN 전력 전자부품을 양산에 투입하는 세계 최초의 기업이 될 것"이라고 말했다. 현재 인피니언 오스트리아 법인의 직원은 약 5,800명이며 이 가운데 약 4,800명이 이 공장에서 일한다.

배경에는 2024년의 공정 전환이 있다. 인피니언은 GaN 반도체를 200mm에서 300mm 웨이퍼로 옮기는 데 성공했고, 이로써 생산량이 2.3배로 늘어 대량생산의 길이 열렸다고 설명했다. GaN은 기존 실리콘보다 전력을 더 효율적으로 끊고 변환해, 손실과 발열을 줄이면서 더 작고 성능 높은 시스템을 만들 수 있다. 업계 분석가들은 2025년부터 2031년까지 GaN 전력반도체 시장이 연 35%가량 성장해 약 35억 달러 규모에 이를 것으로 본다.

이 프로젝트는 유럽 반도체법(European Chips Act)의 지원을 받는다. 유럽연합 집행위원회는 이미 3억 1,900만 유로의 국가보조금을 승인했고, 오스트리아 경제부의 공식 지원 확정이 뒤따를 것으로 전망된다. 크리스티안 슈토커 오스트리아 총리는 자국 하이테크 산업 역사상 최대 규모 단일 투자 중 하나라고 평가했다. 전기차 입장에서 GaN 전력반도체는 전력 변환 효율과 관련된 부품이며, 인피니언은 AI 데이터센터·전기차·신재생에너지·로보틱스·소비자 가전의 수요 증가에 대응하겠다고 밝혔다.

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