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전자신문 · 양자센싱

지큐티코리아, InGaP·GaAs 화합물반도체 광검출소자 6종 시제품 개발…2027년 말 상용화 목표

양자통신·센서 전문기업 지큐티코리아가 인듐갈륨인화물(InGaP)과 갈륨비소(GaAs) 화합물반도체 기반 고내방사선 광검출 반도체 시제품 6종을 2026년 11월 5일 공개했다. 실리콘 대비 이론상 중성자 내성이 100만 배 이상 높을 것으로 예측되며, CERN 등 주요 입자가속기 시설과의 공동 검증을 거쳐 2027년 말 상용화를 추진한다.

6시간 전