공정 노드
파운드리 공정 로드맵
노드 이름의 숫자는 물리 치수가 아니라 마케팅 세대명입니다. 회사가 다르면 같은 숫자라도 밀도·성능이 같지 않습니다. 그래서 구조와 시점을 함께 놓습니다.
추적 노드24개
양산 중16개회사 발표 기준
GAA 구조13개핀펫 이후 구조
후면전력공급5개후면전력공급 적용
로드맵 트랙
왼쪽이 오래된 세대, 오른쪽이 최신 세대입니다.
삼성 파운드리 상세
양산 시점은 회사 발표 기준입니다. '계획'이라고 적힌 것은 그대로 믿지 않는 편이 낫습니다.
| 노드 | 파운드리 | 트랜지스터 | 노광 | 후면전력 | 밀도 | 상태 | 양산 시점 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7LPP7nm 급 | 삼성 파운드리 | FinFET | EUV 0.33NA | 미적용 | — | 양산 | 2019년 |
| 5LPE5nm 급 | 삼성 파운드리 | FinFET | EUV 0.33NA | 미적용 | — | 양산 | 2020년 |
| 4LPE / 4LPP4nm 급 | 삼성 파운드리 | FinFET | EUV 0.33NA | 미적용 | — | 양산 | 2021년 |
| SF3E (3GAE)3nm 급 | 삼성 파운드리 | GAA(MBCFET) | EUV 0.33NA | 미적용 | — | 양산 | 2022년 6월 |
| SF3 (3GAP)3nm 급 | 삼성 파운드리 | GAA(MBCFET) | EUV 0.33NA | 미적용 | — | 양산 | 2024년 |
| SF22nm 급 | 삼성 파운드리 | GAA(MBCFET) | EUV 0.33NA | 미적용 | — | 양산 | 2025년 |
| SF2P (2나노 2세대)2nm 급 | 삼성 파운드리 | GAA(MBCFET) | EUV 0.33NA | 미적용 | — | 개발 | 2026년 하반기(계획) |
| SF1.41.4nm 급 | 삼성 파운드리 | GAA(MBCFET) | — | — | — | 발표 | 2029년(계획) |
밀도(MTr/mm²)가 대부분 비어 있는 이유. 회사마다 세는 기준이 달라 공표하지 않는 경우가 많고, 업계에 도는 값은 대개 추정치입니다. 추정치를 채우면 표가 비교표처럼 보이지만 실제로는 비교가 되지 않습니다 — 그래서 비워 둡니다.