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마이크론 대만, 생산직 보너스 지급 — 노조는 임금협상 지속
마이크론 대만 법인이 생산직 직원 약 4,300명 중 700명에게 5년치 연봉에 해당하는 보너스를 일괄 지급한다고 디지타임스가 보도했다. 나머지 직원들도 10월 중 세 차례의 보너스를 받으며, 여기에는 연간 성과급과 양산 보너스, 1인당 3만1000달러(100만 대만달러) 규모의 감사 보너스가 포함된다. 마이크론은 2027년 1월부터 현금과 주식으로 절반씩 지급하는 분기별 이익 보너스도 신설할 계획이다. 이 같은 보너스 지급은 마이크론 타오위안 노조와의 임금 협상이 이어지는 가운데 나온 것으로, 노조 측은 명확한 이익 분배 기준을 요구하며 하루 파업을 벌이기도 했다. 양측은 11월 6일 추가 협상을 진행할 예정이며, 마이크론 타이중 노조는 이미 연금 기여금 인상 등에 합의했다.
시장·실적·공급망앤트로픽 상장 신고서, HBM 공급 삼성·SK·마이크론 의존 명시
앤트로픽이 나스닥 상장을 위해 미국 증권거래위원회에 증권신고서(S-1)를 제출했다. 신고서 위험요인 항목에서는 AI 가속기용 고대역폭메모리(HBM) 공급이 삼성전자·SK하이닉스·마이크론에 집중돼 있고, 첨단 반도체 생산은 대만 TSMC에 의존하고 있다고 밝혔다. 전력망 부족과 냉각수 확보 차질, 데이터센터 건설에 대한 지역사회 반발도 사업 확대를 늦출 수 있는 요인으로 제시됐다. 아마존·구글·마이크로소프트 등과 맺은 장기 컴퓨팅 계약은 수요가 둔화할 경우 재무 부담이 될 수 있다고 설명했다. 앤트로픽은 고도화된 AI의 오용과 자율화에 따른 재앙적 위험도 함께 경고했다.
마이크론 1ε D램, 웨이퍼본딩 첫 적용 — EUV는 이후 세대로
마이크론이 4F2 셀 설계를 로드맵에서 제외하고, D램 미세화를 위한 새로운 방식을 도입한다고 밝혔다. 현재 양산 중인 1감마(1γ) 이후 2027년 하반기 양산 예정인 1델타(1δ)에 이어, 1엡실론(1ε) 공정부터 웨이퍼 본딩을 적용하고, 이후 세대인 제타옹스트롬(ζÅ)에는 하이-NA EUV 노광을, 에타옹스트롬(ηÅ)에는 신소재를 도입할 계획이다. 회사는 뉴욕 알바니 나노테크와 협력해 향후 5~10년간 쓰일 하이-NA EUV 기반 D램 공정을 개발 중이며, 3D D램(3D1, 3D2)도 로드맵에 올려두고 비용·성능 면에서 유리한 시점에 도입하기로 했다. 아울러 프로세서 위에 직접 적층하는 수직형 HBM(vHBM)과 수직형 엣지 추론 메모리(vEIM) 등 신규 메모리도 함께 개발하고 있다.
마이크론 타이완 노조 파업, HBM 생산기지서 이익공유 요구
마이크론 대만 타오위안 공장 노조가 10월 22일 24시간 경고 파업을 벌였다. 노조는 타오위안 공장 직원의 약 70%인 2,335명을 대표하며, 2027 회계연도부터 분기 영업이익의 15%를 상여금 재원으로 보장하는 이익 공유 제도를 요구하고 있다. 마이크론이 9월 발표한 일회성 보상안을 노조는 장기 기준이 없다며 거부했다. 같은 날 타이중 공장 노조와는 단체협약을 체결해 이익 연동 분기 상여금 지급에 합의했으나, 타오위안 공장 협상은 구체적 비율을 정하지 못하고 결렬됐다. 대만 공장은 마이크론 전 세계 생산 능력의 60% 이상을 차지하며 AI 서버용 HBM도 생산한다.
마이크론 차세대 G11 낸드, 웨이퍼 본딩으로 400단 돌파
마이크론이 2027년 하반기 양산을 목표로 차세대 3D 낸드 G11을 개발 중이라고 밝혔다. G11은 기존 G9 세대 대비 비트 밀도를 두 배로 높이고 입출력 성능을 최대 50% 향상시키며 전력 소비를 줄이는 것이 목표다. 이를 위해 YMTC가 앞서 적용한 웨이퍼-온-웨이퍼 본딩 기술을 도입해 메모리 셀 어레이와 주변 로직을 별도 공정으로 제작한 뒤 결합하는 방식을 택했다. 또한 활성 워드라인 수는 공개하지 않았지만 400단 이상의 적층과 업계 최고 수준의 셀 피치를 적용할 계획이다. 마이크론은 G11 이후에도 신소재와 고밀도 셀 구조 개발을 통해 적층 수 증가와 셀 치수 축소를 병행하는 방향으로 낸드 스케일링을 이어갈 것이라고 설명했다.
마이크론, 4F² D램 포기 — 6F²·3D D램으로 전략 선회
마이크론 최고기술책임자(CTO) 스콧 디보어는 20년간 연구해온 4F² D램 셀 구조를 채택하지 않기로 했다고 밝혔다. 그는 D램 비트 밀도를 좌우하는 것은 트랜지스터 면적(4F² 대 6F²)이 아니라 커패시터 피치와 크기라며, 4F² 구조는 제조 복잡성과 비용만 늘린다고 설명했다. 대신 마이크론은 기존 6F² 구조를 유지하면서 커패시터 피치 축소, 첨단 리소그래피, 웨이퍼 본딩 등으로 D램 스케일링을 이어가고, 차세대 1δ 공정을 2027년 하반기 양산할 계획이라고 밝혔다. 장기적으로는 셀을 수직으로 쌓는 3D D램을 궁극적인 대안으로 제시했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 TechInsights에 따르면 여전히 4F² D램을 로드맵에 두고 있다.
한미반도체 TC본더, HBM 공급망서 마이크론 최고 평가 획득
한미반도체가 '마이크론 서플라이어 데이 2026'에서 지난해에 이어 2년 연속 최우수 서플라이어상을 수상했다고 밝혔다. 행사는 20일(현지시간) 미국 아이다호주 보이시에서 열렸으며, 산자이 메로트라 마이크론 회장 CEO 등 경영진과 글로벌 협력사가 참석했다. 이번 수상 기업 중 한국 기업은 한미반도체가 유일했고, 어플라이드 머티리얼즈·램리서치 등도 함께 수상했다. 한미반도체는 HBM 생산에 쓰이는 TC 본더 장비 분야 세계 1위 기업으로, 2025년 HBM4 양산용 'TC 본더 4'를 출시했으며 2027년 '와이드 TC 본더' 출시를 계획하고 있다. 회사는 2025년 한미싱가포르, 2026년 10월 한미USA 법인을 설립해 현지 고객 지원을 강화했다.
마이크론, D램 4F² 구조 포기 — 웨이퍼 본딩·3D 적층 택일
마이크론 테크놀로지가 차세대 D램 미세화의 핵심으로 꼽히던 4F²(4F 스퀘어) 셀 구조 도입을 공식 포기했다고 밝혔다. 마이크론은 10월 21일(현지시간) 기술 웨비나에서 기존 6F² 구조를 연장하는 대신 웨이퍼 본딩과 3차원(3D) 적층 기술로 이어지는 향후 10년간의 메모리 개발 로드맵을 공개했다. 이는 4F² 구조 도입을 추진해온 경쟁사들과는 다른 기술 경로를 택한 것이다. 전자신문이 단독 보도했다.