"2나노"
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갤럭시Z폴드9 울트라, 2나노 스냅드래곤 탑재설
외신 유출 정보에 따르면 삼성전자의 차세대 폴더블폰 '갤럭시Z폴드9 울트라'에는 2나노 공정 기반의 '스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대' 프로세서가 탑재될 전망이다. 스토리지는 차세대 UFS 5.0 규격이 적용되는 것으로 알려졌다. 디스플레이는 6.5인치 커버와 8인치 내부 화면 모두 다이내믹 AMOLED 2X 패널을 갖추며, 접었을 때 두께는 9㎜ 이하로 줄어든다는 보도다.
갤럭시Z폴드9 울트라, 스냅드래곤 2나노 칩 탑재 전망
삼성전자가 내년 출시할 갤럭시Z폴드9 울트라의 사양 전망을 샘모바일이 종합해 보도했다. 전작과 비슷한 세로형 폼팩터에 코닝 고릴라 글래스, IP68 방진방수, 두께 9㎜ 이하의 초슬림 디자인이 예상된다. 디스플레이는 6.5인치 커버 화면과 8인치 내부 폴더블 화면으로 구성되며 다이내믹 AMOLED 2X 패널이 적용될 전망이다. 후면에는 2억 화소 메인 카메라를 포함한 트리플 카메라가, 프로세서는 2나노 공정의 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대가 탑재될 것으로 보인다. 메모리는 LPDDR6, 저장장치는 UFS 5.0 지원 가능성이 제기된다.
시스템반도체·팹리스아이폰18e 사양 유출, A20 프로세서로 보급형 성능 강화
애플인사이더 등 외신은 IT 팁스터 디지털챗스테이션이 웨이보를 통해 공개한 아이폰18e의 사양을 27일(현지시간) 보도했다. 아이폰18e에는 6.12인치 60Hz LTPS OLED 디스플레이와 A20 프로세서, 4800만 화소 후면 카메라, 2400만 화소 전면 카메라가 탑재될 것으로 전망된다. 기존 보급형 모델처럼 120Hz 가변 주사율을 지원하는 프로모션 기능은 적용되지 않을 것으로 보인다. 디지털챗스테이션은 아이폰17e의 A19, 아이폰16e의 A18 대신 아이폰18e에 A20이 탑재될 것으로 내다봤으며, 아이폰18 프로용 A20 프로와는 다른 모델이지만 동일하게 2나노미터 공정으로 제조될 가능성이 제기된다.
설비투자·팹 증설머스크 테라팹, 클린룸 없는 2나노 공장 공급계약 논의
일론 머스크는 올해 1월 팟캐스트에서 테슬라가 지을 2나노 반도체 공장 테라팹에서는 웨이퍼를 공정 내내 밀봉해 클린룸이 필요 없고, 치즈버거를 먹거나 시가를 피울 수도 있다고 말했다. 당시 반도체 업계는 이 발언을 농담처럼 받아들였다. 그러나 업계는 테라팹과 공급 계약을 논의하고 있는 것으로 전해졌다. 디일렉이 10월 20일 테라팹 관련 기사를 보도하자 머스크는 이를 인용한 X 게시물에 테라팹 한 건물의 생산액이 세계 국내총생산(GDP) 20위권에 들 것이라는 답글을 남겼다.
설비투자·팹 증설삼성전자 테일러팹, 2나노 월 2만장 체제로 — 美 파운드리 거점 완성
삼성전자가 미국 테일러 1공장에 후속 설비투자를 시작했다. 업계에 따르면 삼성전자는 2나노 공정 기준 월 6000장 생산능력에 대응하는 장비를 추가 발주했으며, 기존에 집행한 월 1만장 규모 투자와 파일럿 라인 생산능력을 더하면 내년 하반기에는 2나노 생산능력을 월 2만장까지 확보할 수 있다. 테일러 1공장은 삼성전자의 미국 내 첫 파운드리 양산라인으로 2021년 투자가 결정됐으며 테슬라가 주요 고객에 포함된다. 이번 투자가 마무리되면 설계 기준 최대 생산능력인 월 2만장에 도달해 핵심 설비투자가 마무리 수순에 들어설 전망이다. 삼성전자는 2030년 가동을 목표로 연말 테일러 2공장 착공도 계획하고 있다.
삼성전자 모뎀칩 2나노 전환, 4나노는 HBM 베이스다이로 재편
삼성전자 시스템LSI사업부가 외장형 5G 모뎀 M2800 시리즈의 제조 공정을 2나노로 결정했다. 기존 4나노로 생산하던 외장 모뎀 공정을 2나노로 전환하는 것이다. M2800은 2028년 출시될 갤럭시S28 시리즈에 탑재될 예정이며, 차세대 엑시노스 2800과 투칩 형태로 적용된다. 모뎀 공정이 2나노로 전환되면서 여유가 생기는 4나노 생산능력은 고대역폭메모리(HBM) 베이스다이 중심으로 재편되고 있다. 올해 4나노로 제조된 모뎀 M2700은 MX사업부의 테스트를 통과한 것으로 전해졌다.
TSMC 매출 41% 증가, 첨단 반도체 수요가 견인
TSMC가 2026년 3분기 매출 467억2000만달러를 기록했다고 15일 밝혔다. 이는 전년 동기 대비 41.2% 증가한 수치로, 기존 전망치인 446억~458억달러를 넘어선 실적이다. 대만달러 기준 매출도 1조4942억4000만 대만달러로 전년 동기 대비 50.9% 늘었다. 회사는 첨단 반도체 수요 증가가 매출 성장을 이끌었다고 밝혔으며, 이번 분기 순이익도 사상 최대치를 기록했다.
UCSC 백사이드 클럭 메시, 2나노 GAAFET 스큐·전력 줄여
캘리포니아대 산타크루즈(UCSC) 연구진이 2nm GAAFET 후면전력공급(BSPDN) 기술을 대상으로 백사이드 클럭 메시의 설계공간을 탐구한 논문을 발표했다. 백사이드 전력 공급은 웨이퍼 뒷면에 두껍고 저저항인 금속층을 추가하는데, 전력 그리드가 이를 모두 사용하지 않아 남는 공간이 생긴다는 점에 착안했다. 플립플롭은 여전히 전면에 있어 백사이드 메시가 이를 직접 구동할 수 없고, 모든 연결은 실리콘관통전극(TSV)을 거친다. 연구팀은 OpenROAD 툴을 이용해 2nm 나노시트 기술인 GT2N 상에서 백사이드 클럭 메시를 구현, 이 분야 최초의 설계공간 탐색 결과를 제시했다.