"EUV"
기업
ASML
ASML · 장비 · 노광EUV 노광기를 만드는 유일한 회사. 이 한 곳이 첨단 공정 전체의 병목이자 수출통제의 초점이다.
JSR
JSR · 소재 · 포토레지스트EUV 포토레지스트의 핵심 공급사 중 하나.
신에츠화학
Shin-Etsu Chemical · 소재 · 웨이퍼·포토레지스트실리콘 웨이퍼 1위이자 EUV 포토레지스트 주요 공급사. 소재 쪽 병목의 상징.
SMIC
SMIC · 파운드리중국 최대 파운드리. EUV 를 못 사는 상태에서 DUV 멀티패터닝으로 선단 공정을 시도한다.
도쿄일렉트론
Tokyo Electron · 장비 · 코터·디벨로퍼·식각EUV 노광기와 짝을 이루는 코터·디벨로퍼에서 사실상 독점적 위치에 있다.
용어
DUV중급해설
Deep Ultraviolet LithographyEUV 이전 세대의 노광. 이머전(물에 담가 해상도를 높인) 방식과 멀티패터닝을 조합해 아직도 대부분의 층을 찍는다.
EUV중급해설
Extreme Ultraviolet Lithography극자외선을 쓰는 노광 방식. 파장이 짧아 미세 패턴을 한 번에 그릴 수 있지만 장비를 만드는 곳이 사실상 한 곳뿐이라 공급이 곧 지정학이 된다.
High-NA EUV고급해설
High-NA EUV렌즈의 개구수를 키운 차세대 EUV. 해상도를 더 올리는 대신 한 번에 찍는 면적이 줄어 설계·수율 양쪽에 새 제약을 만든다.
공정 노드
뉴스
SecDMP, 데이터 프리페처 보안 취약점 하드웨어로 차단
벨기에 KU 루벤과 프랑스 EURECOM 연구진이 데이터 메모리 의존형 프리페처(DMP)의 정보 유출을 막는 하드웨어 방어 기법 SecDMP를 발표했다. 연구팀은 RISC-V 프로세서에 오픈소스 DMP를 직접 구현해 기존 방어 기법이 일부 유출 유형을 막지 못한다는 점을 실증적으로 확인했다. SecDMP는 메모리에 비밀 데이터를 표시해 DMP가 이를 마이크로아키텍처에 인코딩하지 않도록 하면서도 공개 데이터 처리 성능은 유지한다. 연구팀은 SecDMP가 DMP를 적용하지 않은 기본 시나리오 대비 추가 유출을 일으키지 않음을 수학적으로 증명했다고 밝혔다. 해당 논문은 2026년 10월 arXiv에 공개됐다.

영광YKMC, High-NA EUV 부품 양산 돌입 — 코스닥 상장 추진
영광와이케이엠씨(YKMC)가 2일 IPO 기자간담회를 열고 연 매출이 지난해 516억원에서 올해 800억원 이상으로 늘어날 것이라고 밝혔다. 이 회사는 반도체·디스플레이 제조장비용 챔버 및 정밀부품을 생산하며, 정밀가공과 특수표면처리·초고진공 세정·조립을 일괄 처리하는 체계를 갖췄다. 올해부터는 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV) 노광장비용 부품 선행 양산에 들어갔으며, 장관섭 대표는 해당 장비용 핵심 부품을 독점 공급한다고 밝혔다. 반도체향 챔버 라인은 기존 12종에서 내년 22종으로 늘리고, 공급량도 올해 3270대에서 내년 6000대 이상으로 확대할 계획이다. 회사는 이번 상장 자금을 생산거점 확보와 설비 확충에 투입하며, 코스닥 상장예정일은 이달 16일이다.

PI 마그레브 스테이지, EUV서 하이브리드 본딩으로 확장
EUV 노광장비 등에 쓰이던 자기부상(마그레브) 스테이지 기술이 첨단 패키징용 하이브리드 본딩 장비에도 적용되고 있다. 칩 간 연결 간격이 미세해지면서 후공정에도 전공정 수준의 초정밀 제어 기술이 필요해졌기 때문이다. 독일 정밀 모션제어 업체 PI는 미국 샌프란시스코에서 열린 세미콘 웨스트 2026에서 6-자유도(6-DOF) 마그레브 스테이지를 시연했다. 이 장치는 웨이퍼나 반도체 다이가 놓이는 스테이지를 자기력으로 공중에 띄워 앞뒤·좌우·위아래 이동과 세 축을 중심으로 한 회전을 정밀하게 제어한다.

imec·TU뮌헨 신규 논문, CFET·EUV 레지스트 등 공정 연구 공개
Semiconductor Engineering이 최근 라이브러리에 추가된 반도체 기술논문 목록을 정리해 소개했다. imec은 GPU 위에 3D로 적층되는 볼류메트릭 DRAM의 열설계 envelope을 분석했고, TU뮌헨·IIT 칸푸르는 멀티티어 CFET 구조의 자기발열과 기생효과를 연구했다. KU르벤·imec 등은 전자빔 및 EUV 리소그래피용 할로겐화 ZIF 레지스트의 톤 변환 현상을 다뤘고, 중국과학원 등은 저굴절률 EUV 마스크 흡수체로 Pt-W 합금을 평가했다. 그 외 저전압 슬로우라이트 실리콘 변조기, SPICE용 신경망 트랜지스터 모델링, 3D CiM 가속기의 보안 매핑 연구도 포함됐다.
메모리(DRAM·NAND·HBM)마이크론 1ε D램, 웨이퍼본딩 첫 적용 — EUV는 이후 세대로
마이크론이 4F2 셀 설계를 로드맵에서 제외하고, D램 미세화를 위한 새로운 방식을 도입한다고 밝혔다. 현재 양산 중인 1감마(1γ) 이후 2027년 하반기 양산 예정인 1델타(1δ)에 이어, 1엡실론(1ε) 공정부터 웨이퍼 본딩을 적용하고, 이후 세대인 제타옹스트롬(ζÅ)에는 하이-NA EUV 노광을, 에타옹스트롬(ηÅ)에는 신소재를 도입할 계획이다. 회사는 뉴욕 알바니 나노테크와 협력해 향후 5~10년간 쓰일 하이-NA EUV 기반 D램 공정을 개발 중이며, 3D D램(3D1, 3D2)도 로드맵에 올려두고 비용·성능 면에서 유리한 시점에 도입하기로 했다. 아울러 프로세서 위에 직접 적층하는 수직형 HBM(vHBM)과 수직형 엣지 추론 메모리(vEIM) 등 신규 메모리도 함께 개발하고 있다.

Pt-W 합금, 하이-NA EUV 마스크 흡수체 신소재로 연구
중국과학원, 지린대학교, 광학시스템첨단제조 국가핵심실험실, 중국과학원대학교 공동 연구진이 Pt-W 합금을 차세대 저굴절률(low-n) EUV 마스크 흡수체 소재로 평가한 논문을 발표했다. 연구는 이 합금 박막의 물성과 이미징 성능을 분석해 하이-NA EUV 마스크 흡수체로서의 적용 가능성을 살폈다. 해당 논문 'Evaluating an alternative Pt-W alloy as a low-n EUV mask absorber: Film properties and imaging performance'는 iScience에 2026년 8월 게재됐다.

ZIF 레지스트, EUV·전자빔 노광서 톤 반전 거동 차이 확인
KU Leuven, 군산대, 브뤼셀자유대(VUB), imec 등 공동 연구진이 할로겐화 비정질 제올라이트 이미다졸레이트 프레임워크(a-ZIF) 레지스트에 관한 논문을 발표했다. 이 레지스트는 완전 건식 공정으로 증착되며, 전자빔(E-beam) 노광과 EUV 노광에서 서로 다른 톤 변환(tone conversion) 거동을 보인다는 점이 특징이다. 연구 결과는 ACS Applied Materials & Interfaces에 2026년 10월 게재됐다.
파운드리·공정중국 DUV 다중패턴 첨단공정, EUV 공백을 메우다
Tom's Hardware의 주간 프리미엄 요약에 중국 첨단칩 제조 현황이 소개됐다. 전문가들은 중국이 EUV 노광장비 없이 기존 DUV 장비의 다중패턴 공정으로 첨단칩 제조를 이어가고 있지만, 다이 크기 증가·수율 저하·공정 시간 증가라는 비용이 커지고 있다고 분석했다. 같은 주간 요약에는 SSD 컨트롤러 업체 FADU가 발표한 File-Semantic SSD(FS-SSD) 백서도 포함됐는데, 파일시스템을 SSD 플래시에 직접 올려 호스트 CPU를 거치지 않고 GPU·DPU·NIC가 파일을 직접 열고 읽도록 하는 기술이다. FADU는 PCIe 6.0(Gen6) 컨트롤러 기반이며 파트너 샘플을 2027년 3분기까지 출하할 계획이라고 밝혔다. 요약에는 딥시크 신규 AI 모델이 이전보다 적은 HBM과 SSD 저장용량을 사용한다는 내용도 함께 다뤄졌다.
