비아트론, SK하이닉스와 3D D램 적층 장비 개발
요약
비아트론이 산업통상부 주관 소부장 으뜸기업으로 선정돼 120억원 규모의 'Si/SiGe 증착과 웨이퍼 계측/검사가 융합된 고생산성 에피택시 장비개발' 과제에 참여한다. 이 과제에서 SK하이닉스와 협력해 3차원(3D) 수직적층 메모리용 실리콘(Si)·실리콘게르마늄(SiGe) 적층 장비를 개발하며, 연구 기간은 올해부터 2029년까지다.
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이번 발표는 연구개발 과제 참여 선정 단계로, 목표 생산능력(연간 20대 이상) 달성 여부는 2029년 과제 종료 시점에 확인될 사항이다.
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도입 효과·생산성 수치는 원문에 적힌 주장을 그대로 옮겼습니다. 스마트팩토리 기사는 공급사 보도자료가 많으므로 검증된 성과와 구분해 읽으세요.
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