삼성전자, ASML과 손잡고 D램 제조에 하이-NA EUV 도입
요약
삼성전자는 ASML과 협력을 확대해 업계 최초로 2028년까지 고개구율(하이-NA) 극자외선 노광 장비를 첨단 D램 제조 시설에 도입하고, 300mm 대형 포토마스크도 공동 개발한다고 밝혔다. 양사는 첨단 AI 반도체 제조에 필요한 차세대 기술 개발과 도입 일정을 앞당기며, 하이-NA EUV 기술이 파운드리에 이어 첨단 메모리 분야에도 본격 적용될 것으로 전망했다.
큐레이터 노트
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삼성전자와 ASML의 하이-NA EUV D램 도입은 2028년까지 계획된 것으로, 실제 생산 적용까지는 아직 시간이 남아 있다.
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