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KAIST, HZO 강유전체 정보 기록 메커니즘 규명

연구반도체·디스플레이 소재전자신문 원문 기준원문 발행 2026.10.08
반도체·디스플레이 소재 분야 사진 — 이 글의 내용을 찍은 사진이 아닙니다 · 빛을 받아 무지갯빛으로 반사되는 실리콘 웨이퍼의 칩 · 사진 Rob Bulmahn (CC BY 2.0)

KAIST 홍승범 교수팀이 조병진 교수팀, 독일 드레스덴공대와 공동으로 차세대 비휘발성 메모리 소재인 하프늄-지르코늄 산화물(HZO)에서 정보가 기록되는 과정을 밝혔다. 고해상도 현미경으로 나노미터 크기 도메인의 변화를 직접 관찰한 결과, 새로운 도메인이 계속 생겨나는 핵생성과 기존 도메인이 확산되는 성장이 동시에 일어나며 정보가 기록됨을 확인했다. 연구팀은 이를 '동시 핵생성-성장(SNG) 모델'로 정립했다. 도메인 형성·확산 원리를 이해하면 소재 구조나 공정을 조절해 더 빠르고 균일한 정보 기록이 가능한 메모리 설계에 활용할 수 있다. 연구 결과는 나노 레터스에 6월 15일자로 게재되고 표지논문으로 선정됐다.

핵심

  1. HZO 강유전체의 정보 기록 시 핵생성과 성장이 동시에 일어남을 고해상도 현미경 관찰로 확인
  2. 두 과정을 하나로 설명하는 '동시 핵생성-성장(SNG) 모델' 정립
  3. 소재 구조·제조 공정 조절을 통한 차세대 저전력 비휘발성 메모리 및 뉴로모픽 소자 설계에 기여 가능
원문 · 전자신문 — KAIST, 국제 공동연구로 차세대 메모리 소재 '정보 기록 과정' 규명
원문을 Claude 가 요약·정리하고 코드 검사(원문에 없는 수치·화학식, 가격, 상대 시점, 투자 권유, 과장 표현 차단)를 통과한 글입니다. 연구의 주장과 평가는 원 논문·발표처의 것입니다. 오류는 contact@qpx.kr.
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ZDNet Korea · 2026.11.03
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ZDNet Korea · 2026.10.28
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