사진 Rob Bulmahn · CC BY 2.0

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Electronic

반도체·디스플레이 소재

포토레지스트·특수가스·웨이퍼·OLED 발광재료 — 공정이 미세해질수록 소재가 병목이 됩니다.

칩·공정·장비는 반도체(chip.qpx.kr)에서 다룹니다.

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반도체 소재 소식

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한화이센셜, 차세대 유리기판 도금·연마 공정 개발 추진

한화이센셜이 유리기판을 차세대 성장동력으로 삼고 핵심 공정 개발을 총괄할 인력 채용에 나섰다. 유리기판은 기존 유기 소재 대신 유리를 코어로 써 전력 효율과 내열성을 높이고 워피지(휨)도 개선하는 기판으로, 대면적 AI 반도체에서 수요 증가가 전망된다. 회사는 유리관통전극(TGV) 형성 후 구멍을 구리로 채우는 도금과 표면을 평탄화하는 연마(CMP) 공정을 주력 개발 대상으로 삼았는데, 도금은 수십만 개 구멍을 빈틈없이 채워야 해 상용화의 핵심 병목으로 지목된다. 한화이센셜은 FC-BGA용 절연체도 함께 개발 중이며, 이번 행보가 성공하면 반도체 패키징 사업 진출에 속도가 붙을 것으로 기대된다.

소식반도체·디스플레이 소재ZDNet Korea · 2026.11.03

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OCI, TDI 접고 반도체 소재로 사업구조 재편

OCI가 반도체 소재 사업의 성장에 힘입어 인적분할 이후 최대 3분기 누적 실적을 거뒀다고 공시했다. 저수익 사업을 정리하는 과정에서 만성 적자이던 TDI(폴리우레탄 원료) 사업을 중단했고, 반도체용 과산화수소 공장 가동률을 높이고 인산 생산능력을 증설하며 고순도 식각액(스페셜티 에천트) 개발로 고부가가치 제품군을 확대할 계획이다. 새 성장동력으로 반도체 패키징용 웨이퍼 재생 사업에도 진출해 2027년 공장 준공, 2028년 상업화를 목표로 한다. 카본케미칼 부문은 카본블랙 가격 인상과 피치 판매 증가로 안정적 수익 구조를 유지했다.

케미컬뉴스 · 2026.10.28

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OCI, TDI 사업 접고 반도체 소재 투자 확대

OCI가 적자가 누적된 TDI 사업을 중단하는 등 저수익 사업을 정리하고 반도체 소재 중심으로 포트폴리오를 재편한다. 베이직 케미칼 부문에서는 클로르알칼리 판가 하락으로 부문 실적이 둔화했지만 반도체용 폴리실리콘과 과산화수소 매출과 이익은 성장세를 보였고, 카본 케미칼 부문은 카본블랙 가격 인상과 피치 판매 증가로 매출이 늘었다. 광양공장 과산화수소 사업 관련 영업권 손상차손이 반영돼 순손실로 전환됐다. OCI는 반도체용 과산화수소 가동률을 끌어올리고 인산 생산능력 증설과 스페셜티 에천트 개발에 나서는 한편, 반도체 패키징용 웨이퍼 재생 사업에도 신규 진출해 2027년 준공, 2028년 상업화를 목표로 한다고 밝혔다.

EBN · 2026.10.28

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코닝정밀소재 등 충남 천안·아산에 첨단소재 생산시설 확충

충남도가 뉴욕에서 코닝정밀소재 등 글로벌 첨단소재 기업 3곳과 투자협약을 맺고 천안·아산 산업단지에 생산시설을 신설·증설하기로 했다. 투자에 참여한 기업들은 반도체·디스플레이·배터리 관련 소재를 생산하며, 코닝정밀소재는 아산 탕정디스플레이산업단지에서 스마트폰·태블릿·자동차용 정밀 디스플레이 기판유리를 생산하는 업체로 이번 투자로 한국 제조 역량을 높이고 차세대 소재·기술 플랫폼 도입을 앞당길 계획이다. 나머지 2개 기업의 이름과 세부 투자 내용은 기업 요청으로 비공개됐다. 충남도는 행정 지원을 통해 투자가 실제 생산시설 확대로 이어지도록 뒷받침할 방침이다.

케미컬뉴스 · 2026.10.28

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렌즈테크놀로지, 유리기판 TGV 공정 불량률 0PPM 달성

중국 렌즈테크놀로지가 선전 전시회에서 차세대 반도체 패키징 소재인 유리기판 제조 기술을 공개했다. 자체 TGV(유리관통전극) 식각 라인에서 직경 20마이크로미터 이상 홀을 가공하며 홀 불량률 0PPM, 도금 후 보이드 없는 충전을 구현했다고 밝혔다. 나우라, ACM리서치, 커얼만테크놀로지 등 중국 장비업체들도 유리기판용 PVD, 도금·세정·식각, 라미네이터 장비를 함께 선보이며 자체 공급망 구축에 나섰다. 유리기판은 기존 유기 기판을 대체해 전력 효율과 내열성을 높이는 소재로 주목받고 있다.

ZDNet Korea · 2026.10.27

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켐트로스, 낸드 고단화로 포토레지스트 소재 매출 확대

켐트로스가 낸드플래시 적층 단수 상승에 따른 포토레지스트(PR) 수요 증가와 소재 국산화 흐름에 힘입어 반도체 소재 부문 매출 비중을 늘렸다. 주력 제품인 불화크립톤(KrF) PR용 폴리머와 광산발생제(PAG)는 낸드 고단화로 채널 홀을 나눠 뚫는 노광 공정이 반복되면서 웨이퍼당 사용량이 구조적으로 늘었다. 해외 PR 제조사들이 공급망 안정화를 위해 국내 생산 거점을 넓히면서 원료의 국내 조달 비중도 커졌다. 회사는 ArF PR용 폴리머 평가와 EUV 시너 원재료 증설을 진행 중이며, 차세대 반도체 패키징용 언더필 소재 개발도 이어가고 있다.

EBN · 2026.10.27

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전투기 조종석 OLED, 다층 탠덤 구조로 개발 추진

산업통상부가 LG디스플레이, 한화시스템과 전투기 조종석용 OLED 연구개발 과제를 기획하고 있다. 전투기는 기체 전원을 쓰기 때문에 스마트폰보다 발광층을 더 쌓는 다층 탠덤 구조를 적용해 밝기와 수명을 높일 수 있다. 야간투시경 간섭을 줄이는 적색 발광재료와 캐노피 반사를 막기 위해 시야각을 좁히는 마이크로캐비티·분산 브래그 반사경·메타렌즈 같은 광학 기술도 과제로 꼽힌다. 전하생성층 누설전류 억제, 극저온 구동, 손상 시 정보 표시 이중화 설계 등도 함께 해결해야 할 과제로 제시됐다.

디일렉 · 2026.10.26

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머크, 충북 음성공장서 반도체용 몰리브덴 소재 생산 시작

한국머크가 충북 음성 사업장에 이산화이염화몰리브덴(MoO2Cl2) 생산 설비를 신설하고 국내 반도체 제조사에 공급을 시작한다. 몰리브덴은 텅스텐·구리 대비 미세 공정에서 저항이 낮고 열·화학적 안정성이 높아 3D 낸드, 시스템 반도체 박막, D램 등에 적용 범위가 넓은 차세대 배선 소재로 꼽힌다. 머크는 2023년 인수한 엠케미칼 음성 사업장에서 하이-K 원자층 전구체를 생산해 왔으며, 이번에 몰리브덴 생산으로 사업을 확대했다. 안산 사업장에서 생산하는 'CHEMKEEPER Vapor 200' 공급 장비와 결합한 토털 솔루션을 제공해 고객사 접근성과 공급 안정성을 높인다는 전략이다. 머크는 향후 AI 확산에 따른 첨단 패키징, 공동패키징광학(CPO) 등 분야로 한국 내 소재 생산·공급을 넓힐 방침이다.

전자신문 · 2026.10.22

Research

반도체 소재 연구

논문과 연구기관 발표. 원문이 밝힌 한계를 함께 적습니다.

Electronic · Nature Materials

III-질화물 반도체, 계면분극으로 상온 인센서컴퓨팅 구현

Nature Materials에 게재된 연구는 III-질화물 반도체의 고유한 전기분극 특성을 센서-멤리스터형 소자에 적용한 결과를 다뤘다. 이 분극은 대형 광전자 소자에는 유리하지만 센서-멤리스터 소자 연구에서는 거의 다뤄지지 않았던 특성이다. 연구팀은 III-질화물 이종구조 계면에서 분극에 의해 광생성된 캐리어가 공간적으로 분리되는 현상을 이용해 상온에서 동작하는 효율적이고 확장 가능한 인센서 컴퓨팅을 구현했다고 밝혔다.

2026.10.27 Electronic · 전자신문

KAIST, 전도성 MOF 박막으로 트랜지스터 게이트전극 구현

KAIST 박선아 교수팀이 국립부경대·포스텍·연세대와 함께 전기가 흐르는 금속-유기 구조체(MOF)를 화학기상증착(CVD)으로 얇고 균일한 박막으로 만들고, 포토리소그래피와 식각으로 미세 패턴을 형성해 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트 전극으로 구현했다. 가공 후에도 소재의 구조와 화학적 상태, 전기가 흐르는 성질이 대부분 유지됐다. 연구팀은 이 전극을 이황화몰리브덴, 이텔루륨화몰리브덴, 산화물 반도체 등 세 종류의 반도체에 적용해 작동하는 것을 확인했다. 금속과 유기 분자 조합을 바꾸면 전기적 성질을 조절할 수 있어, 반도체가 요구하는 전압에 맞춘 맞춤형 전극 설계에 활용될 것으로 기대된다.

한계 · 다양한 전도성 MOF로 적용 범위를 넓히고, 대면적 박막의 균일성과 미세 패터닝 정밀도, 공정 재현성, 장기 신뢰성 검증이 남은 과제2026.10.26 Electronic · 전자신문

KERI, SiC 결함 발광파장 15년 된 국제기준 오류 규명

한국전기연구원(KERI) 나문경 박사팀이 충남대, 호리바에스텍코리아, SK실트론과 공동연구로 SiC 전력반도체의 대표 결함인 프랭크형 적층결함의 특성 발광파장이 국제전기기술위원회(IEC) 기준인 424㎚가 아니라 459㎚임을 밝혀냈다. 빛으로 결함 위치를 찾은 뒤 해당 부위를 나노미터 단위로 잘라 원자분해능 주사투과전자현미경으로 원자 배열을 직접 확인하고 슈퍼컴퓨터 이론 계산으로 교차 검증했다. 연구 결과는 학술지 '악타 머티리얼리아'에 게재됐으며, 나 박사는 호리바가 주관하는 국제 연구상 '2026 호리바 마사오상'을 수상했다. 연구팀은 이번 성과가 SiC 소재 품질과 소자 신뢰성 평가의 정확도를 높이는 데 기여할 것으로 기대했다.

2026.10.25 Electronic · 에너지신문

SiC 전력반도체 적층결함 발광파장 459나노미터로 재규명

한국전기연구원 연구팀이 충남대학교, 호리바에스텍코리아, SK실트론과 공동으로 SiC 전력반도체의 '(4,1) 프랭크형 적층결함'을 식별하는 발광 파장이 기존에 알려진 424나노미터가 아니라 459나노미터라는 사실을 확인했다. 연구팀은 상용 웨이퍼 207장에서 얻은 10만여 개 결함 데이터를 분석하고, 시편 176개를 제작해 전자현미경으로 원자 배열을 관찰한 뒤 밀도범함수이론 계산으로 교차 검증했다. 기존 424nm 값은 국제전기기술위원회 기준에도 반영돼 있었지만 발광 신호와 실제 원자 구조를 일대일로 대조한 검증은 부족했다. 이번 규명은 광발광 검사 신호 해석을 정밀하게 해 불량 원인 추적과 제조 공정 개선에 활용될 것으로 기대된다.

2026.10.25 Electronic · 전자신문

KAIST, HZO 강유전체 정보 기록 메커니즘 규명

KAIST 홍승범 교수팀이 조병진 교수팀, 독일 드레스덴공대와 공동으로 차세대 비휘발성 메모리 소재인 하프늄-지르코늄 산화물(HZO)에서 정보가 기록되는 과정을 밝혔다. 고해상도 현미경으로 나노미터 크기 도메인의 변화를 직접 관찰한 결과, 새로운 도메인이 계속 생겨나는 핵생성과 기존 도메인이 확산되는 성장이 동시에 일어나며 정보가 기록됨을 확인했다. 연구팀은 이를 '동시 핵생성-성장(SNG) 모델'로 정립했다. 도메인 형성·확산 원리를 이해하면 소재 구조나 공정을 조절해 더 빠르고 균일한 정보 기록이 가능한 메모리 설계에 활용할 수 있다. 연구 결과는 나노 레터스에 6월 15일자로 게재되고 표지논문으로 선정됐다.

2026.10.08 Electronic · 뉴시스

KAIST팀, 이황화몰리브덴 결정핵 위치 정밀 제어 성공

KAIST, UNIST, 한양대, 티디에스이노베이션 공동연구팀이 2차원 반도체 소재인 이황화몰리브덴의 결정이 생기는 시작 위치까지 정밀하게 제어하는 기술을 개발해 네이처에 발표했다. 성장 영역을 둘러싼 산화물 장벽에서 나오는 산소 성분이 가장자리에서 결정핵 생성을 강하게 억제하는 점을 이용해 영역 중앙에서 하나의 결정핵만 생기도록 유도했다. 400개 실험 패턴 중 99% 이상에서 경계 없는 단결정 성장에 성공했으며, 이는 연산과 메모리를 수직으로 쌓는 차세대 적층형 AI 반도체의 기반 기술로 활용될 것으로 기대된다.

한계 · 원천기술 단계로, 실제 반도체 제조 공정 적용과 적층형 소자 구현은 향후 과제로 남아있다2026.10.08

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