한국전기연구원(KERI) 나문경 박사팀이 충남대, 호리바에스텍코리아, SK실트론과 공동연구로 SiC 전력반도체의 대표 결함인 프랭크형 적층결함의 특성 발광파장이 국제전기기술위원회(IEC) 기준인 424㎚가 아니라 459㎚임을 밝혀냈다. 빛으로 결함 위치를 찾은 뒤 해당 부위를 나노미터 단위로 잘라 원자분해능 주사투과전자현미경으로 원자 배열을 직접 확인하고 슈퍼컴퓨터 이론 계산으로 교차 검증했다. 연구 결과는 학술지 '악타 머티리얼리아'에 게재됐으며, 나 박사는 호리바가 주관하는 국제 연구상 '2026 호리바 마사오상'을 수상했다. 연구팀은 이번 성과가 SiC 소재 품질과 소자 신뢰성 평가의 정확도를 높이는 데 기여할 것으로 기대했다.
핵심
- SiC 전력반도체 프랭크형 적층결함의 특성 발광파장이 기존 IEC 기준 424㎚가 아닌 459㎚임을 규명
- 원자분해능 주사투과전자현미경과 슈퍼컴퓨터 이론 계산으로 빛 신호와 원자 구조를 직접 대조해 교차 검증
- 연구 결과가 '악타 머티리얼리아'에 게재됐고, 연구책임자는 '2026 호리바 마사오상'을 수상
- 충남대, 호리바에스텍코리아, SK실트론과의 산학연 공동연구로 수행
원문 · 전자신문 — KERI, SiC 전력반도체 '불량 판별' 글로벌 기준 15년만에 바로잡았다
원문을 Claude 가 요약·정리하고 코드 검사(원문에 없는 수치·화학식, 가격, 상대 시점, 투자 권유, 과장 표현 차단)를 통과한 글입니다. 연구의 주장과 평가는 원 논문·발표처의 것입니다. 오류는 contact@qpx.kr.
