용어집
현장에서 마주치는 말
정의에 수치를 넣지 않았습니다. 수치는 낡고, 낡은 수치는 정의를 통째로 틀리게 만듭니다. 최신 값이 필요하면 가격표와 공정 노드 표로 보냅니다.
용어8개
해설 있음8개게이트 통과분
분야7개
난이도3단계입문 · 중급 · 고급
패키징
패키징입문해설
Packaging다이를 보호하고 바깥과 연결하는 포장 단계. 미세화가 느려지면서 성능을 끌어올리는 새 무대가 됐다.
후공정입문해설
Back-end / Assembly완성된 웨이퍼를 자르고 포장하고 검사하는 단계. HBM 과 첨단 패키징이 뜨면서 위상이 크게 올라갔다.
인터포저고급해설
Interposer다이들을 촘촘히 잇기 위해 그 아래 까는 중간 기판. 실리콘으로 만들면 배선 밀도를 크게 올릴 수 있다.
하이브리드 본딩고급해설
Hybrid Bonding범프 없이 구리 패드를 직접 붙여 다이를 잇는 방식. 간격을 줄여 대역폭과 두께를 함께 개선한다.
패키지 기판중급해설
Package Substrate패키지 안에서 다이와 메인보드를 잇는 기판. 층수와 미세 배선 난이도가 높아 증설에 시간이 걸린다.
CoWoS고급해설
Chip on Wafer on Substrate인터포저 위에 로직과 HBM 을 나란히 얹는 첨단 패키징 방식. AI 가속기 공급의 실제 병목으로 자주 지목된다.
FC-BGA중급해설
Flip Chip Ball Grid Array다이를 뒤집어 붙이고 아래쪽 볼로 기판과 잇는 패키지 방식. 고성능 칩용 기판 공급이 병목이 되는 구간이다.
TSV중급해설
Through-Silicon Via실리콘을 관통해 위아래 다이를 잇는 수직 배선. HBM 적층의 기본 기술이다.
해설 배지가 붙은 용어에는 4~6문장의 설명이 있습니다. 해설은 작성 후 자기 검증 단계를 거쳐 코드 게이트를 통과해야 게시됩니다. 아직 해설이 없는 용어도 한 줄 정의만으로 쓸모가 있어 먼저 열어 두었습니다.