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전력·화합물반도체
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인피니언 하이렐, 우주용 GaN 게이트드라이버 LDO 내장 출시
인피니언 하이렐이 우주 전력 시스템용 GaN 소자를 제어하는 방사선 내성 단일 채널 게이트 드라이버 RIC70115를 공개했다. 이 제품은 저전압 드롭아웃 레귤레이터(LDO)를 내장해 4.75V~15V 입력 전압 범위에서 4.8V의 안정적인 게이트 드라이브 전압을 생성한다. 별도의 바이어스 레귤레이터를 추가하지 않아도 되어 부품 수와 보드 면적을 줄이고 총 부품비(BOM) 절감에 도움이 된다고 회사는 밝혔다. 평가보드 RIC70115EVAL1은 RIC70115 2개와 GaN HEMT인 IG1NT052N10R 2개를 하프브리지 구성으로 탑재해 제공된다.
아이언디바이스, GaN·게이트드라이버 통합칩으로 로봇관절 초소형화
아이언디바이스가 26~28일 중국 선전에서 열린 'PCIM 아시아 2026'에 참가해 로보틱스용 초소형 질화갈륨(GaN) 전력구동 반도체를 전시했다. 이 제품은 100볼트(V) 하프브릿지 GaN 소자와 게이트 드라이버를 단일 패키지로 통합했으며, 팬아웃웨이퍼레벨패키지(FoWLP)를 적용해 경쟁사 제품보다 약 40% 작은 크기를 구현했다. 온저항(RDS(on))은 5.5mΩ이다. 아이언디바이스는 낮은 온저항이 발열과 노이즈를 줄여 로봇 관절용 준직접구동(QDD) 액추에이터 초소형화에 도움이 된다고 설명했다.