"리소그래피"
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EPE 오차, OPC·EDA가 이끄는 차세대 전산 리소그래피
SPIE 포토마스크·EUV 리소그래피 콘퍼런스 패널에서 IBM, 칼자이스 SMT, 마이크론, ASML, 텍센드, 어플라이드 머티리얼즈 전문가들이 엣지 배치 오차(EPE) 문제를 논의했다. 패널은 EPE가 더 이상 좁은 리소그래피 지표가 아니라 마스크, 스캐너, 레지스트, 식각, 계측, OPC가 모두 연결된 시스템 차원의 문제가 됐다고 평가했다. 설문에서 OPC는 EPE의 주요 원인이자 향후 개선을 이끌 핵심 수단으로 동시에 지목됐다. 패널은 EDA가 이상화된 마스크가 아닌 패턴 의존적 공정 변수를 반영해야 하며, 인공지능은 물리 모델과 검증을 동반한 설명 가능한 형태로 도입돼야 한다고 강조했다. 또한 EDA가 EPE를 전력·성능·면적·비용·수율과 연결해야 한다는 의견도 제시됐다.
ASML 분기 매출 130억달러 기록, 리소그래피 공급 확대
Tom's Hardware Premium 주간 정리에 따르면 ASML은 분기 매출 130억달러를 기록해 역대 최고치를 경신했으며, 첨단 리소그래피 장비 수요가 공급을 계속 초과하고 있어 생산 능력 확충을 추진 중이라고 밝혔다. 2027·2028년 공급 물량을 확보하려는 고객들이 이미 2030년 주문 선점에 나선 것으로 전해졌다. 같은 주 프리미엄 콘텐츠에서는 인텔의 EMIB·Foveros Direct 3D 패키징 로드맵도 다뤄졌는데, 인텔은 두 기술을 결합해 12개 레티클 크기의 시스템인패키지 구현을 목표로 한다고 설명했다. 또한 SK하이닉스가 SSD 컨트롤러에 자체 설계한 소형 코어 H-TPU를 탑재해 Arm 코어의 부담을 줄이는 방안을 추진 중이며, 이 코어는 Arm 코어 전력의 2.5%만 사용한다고 보도됐다.
장비·소재·부품ZNTC 130nm 리소그래피 시제품 완성, 벨라루스 플라나르 공동개발
러시아 젤레노그라드 나노기술센터(ZNTC)가 200mm 웨이퍼, 130nm 공정용 포토리소그래피 장비의 3차 연구개발 단계를 완료했다고 CNews가 보도했다. 해당 장비는 내부 시험 단계에 있으며, 실제 양산 팹에 투입되려면 아직 수년이 더 필요하다. 보도에 따르면 리소그래피 시스템 자체는 벨라루스 기업 플라나르가 개발했고 레이저 광원은 라사드가 제작했으며, ZNTC는 전체 시스템 설계와 공정 모델링을 담당한 것으로 나타났다. 러시아 산업통상부는 이 개발 프로그램에 예산을 지원했다. 통상적인 리소그래피 장비 개발 주기를 고려하면 상업용 웨이퍼 생산은 2029년 이후에나 가능할 것으로 보인다고 전해졌다.
젠슨 황, 2030년 중국 리소그래피 자립 전망 — SMEE 양산엔 회의적
엔비디아 CEO 젠슨 황은 올인 팟캐스트 인터뷰에서 중국이 2030년까지 ASML 수준의 첨단 리소그래피 장비를 자체 개발할 것이라고 말했다. 그는 중국이 대량생산에 강점이 있어 2~3년은 금방 지나갈 것이라고 설명했다. 톰스하드웨어는 중국 최대 리소그래피 업체 SMEE가 현재 193nm ArF 드라이 스캐너로 90nm급 공정까지만 양산 가능하며, 28nm급 ArF 이머전 스캐너는 개발됐다고 알려졌지만 양산 증거는 없다고 지적했다. SMEE 계열사인 상하이 아이성나가 28nm급 이머전 스캐너 1호기를 인도했다는 보도도 있으나 검증 절차가 필요하다고 전했다. EUV 분야에서는 중국 과학자들이 13.5나노미터 파장 레이저 생성 플라즈마 광원을 개발했다는 보도가 있지만, EUV 스캐너 시제품 조립에도 근접하지 못한 것으로 보인다고 덧붙였다.