전력·화합물반도체마스터GaN7, ST마이크로 신제품 — 650V GaN 전력밀도 강화
ST마이크로일렉트로닉스가 28일 마스터GaN7 디바이스를 출시했다고 밝혔다. 신제품은 최대 정격전류 6A의 650V 인핸스먼트 모드 갈륨나이트라이드(GaN) 트랜지스터 2개를 하프 브리지로 구성했으며, 고전압·고주파 게이트 드라이버와 부트스트랩 다이오드를 통합했다. 게이트 구동전압을 안정화하는 LDO 레귤레이터와 핀 제어 셧다운 모드를 적용해 45ns 전파 지연시간, 최대 2MHz 스위칭 주파수로 동작한다. 전원 어댑터, 충전기, 산업용 조명장비, 태양광 마이크로인버터 등에 쓰일 수 있으며, 액티브 클램프 플라이백과 LLC 컨버터 등 다양한 토폴로지를 지원한다.
ZDNet Korea