"원자층증착"

ALD 원자층증착, 나노시트·D램 커패시터 공정 핵심으로

원자층증착(ALD)은 1974년 핀란드의 투오모 순톨라와 동료들이 첫 특허를 출원한 기술로, 20년 전 칩이 소형화되고 3차원 구조로 바뀌면서 기존 공정이 공정 편차를 감당하지 못하자 필수 공정으로 자리 잡았다. 현재 ALD는 나노시트 채널, 고종횡비(HAR) 콘택, D램 커패시터 스택 등에서 옹스트롬 단위의 두께 제어와 거의 완벽한 단차 피복성을 구현하는 데 쓰인다. 해당 기고문은 이 같은 정밀도가 박막 아래 표면에서 갈린다는 점을 다룰 예정이나, 제공된 본문은 서두에서 끊겨 구체적 내용은 확인되지 않는다.