"하이브리드 본딩"
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PI 마그레브 스테이지, EUV서 하이브리드 본딩으로 확장
EUV 노광장비 등에 쓰이던 자기부상(마그레브) 스테이지 기술이 첨단 패키징용 하이브리드 본딩 장비에도 적용되고 있다. 칩 간 연결 간격이 미세해지면서 후공정에도 전공정 수준의 초정밀 제어 기술이 필요해졌기 때문이다. 독일 정밀 모션제어 업체 PI는 미국 샌프란시스코에서 열린 세미콘 웨스트 2026에서 6-자유도(6-DOF) 마그레브 스테이지를 시연했다. 이 장치는 웨이퍼나 반도체 다이가 놓이는 스테이지를 자기력으로 공중에 띄워 앞뒤·좌우·위아래 이동과 세 축을 중심으로 한 회전을 정밀하게 제어한다.
ASML, D2W 하이브리드 본딩 장비 개발 — Besi 로직 사업 위협
SemiAnalysis는 ASML이 아직 공식 발표하지 않았지만 특허 출원, The Elec 보도, 자체 로드맵을 근거로 다이투웨이퍼(D2W) 하이브리드 본딩 장비를 개발 중이라고 분석했다. 해당 장비는 트랙 기반 구조로, 다이가 독립된 홀더에 실려 검사·세정·플라즈마 활성화·계측 스테이션을 거친 뒤 본딩 스테이션에서 웨이퍼와 결합된다. The Elec은 ASML이 프로드라이브 테크놀로지스, VDL ETG와 함께 아키텍처 설계를 시작했다고 보도했다. SemiAnalysis는 ASML이 리소그래피에서 쌓은 정렬 정확도와 파티클 제어 역량을 바탕으로 최선단 로직 분야에서 먼저 채택될 것으로 보이며, 이는 TSMC와 인텔에 집중된 Besi의 로직 본딩 사업에 영향을 줄 수 있다고 전망했다.
하이브리드 본딩 결함검사, 통합 공정관리로 수율 보호
Semiconductor Engineering은 하이브리드 본딩과 첨단 패키징 공정에서 칩렛, HBM 적층 등 조립 단계까지 누적된 투자 가치를 지키려면 결함을 조기에 찾아내야 한다고 보도했다. 패키지 피처가 작아지면서 전공정 수준의 정밀도가 필요해지고, 입자·크랙·매립 결함·마이크로범프 불균일·본딩 보이드 등 다양한 결함을 표면·측벽·서브표면에서 검사해야 하는 과제가 커지고 있다고 전했다. 이에 따라 고감도 2D 검사, 고속 적외선 서브표면 검사, 3D 계측을 하나의 통합 워크플로우로 결합해 공정 단계별 위험에 대응하는 전략이 필요하다고 설명했다. 특히 하이브리드 본딩용 CMP 표면 준비 단계는 본딩 피치가 좁아질수록 작은 결함도 수율에 영향을 줄 수 있어 검사 민감도와 공정관리 강화가 요구된다고 덧붙였다.
CoWoS·하이브리드 본딩, 첨단 패키징 계측·분석 체계 과제
2.5D 인터포저, CoWoS, 하이브리드 본딩, 3D 스택킹 등 이종집적 기술이 급격히 확산되면서 공정 램프업의 의미 자체가 바뀌고 있다. 첨단 패키징은 기존 전공정 로직이나 표준 패키징과는 다른 수율 민감도와 결함 메커니즘을 보이지만, 업계는 이를 대규모로 다룰 전용 계측·특성분석·분석 체계를 충분히 갖추지 못한 상태라고 설명한다. 이번 발표는 첨단 패키징의 공정 개발 가속화와 양산 단계 공정관리를 함께 다루는 통합 방법론을 제시한다.
어플라이드-베시, 에픽 센터서 하이브리드 본딩 공동개발
패키징·후공정어플라이드·베시, EPIC 센터서 하이브리드 본딩 협력 확대
어플라이드 머티어리얼즈는 반도체 후공정 장비업체 베시가 자사 EPIC 센터에 혁신 파트너로 합류한다고 밝혔다. 이는 2020년 시작된 양사 공동 개발 프로그램의 연장으로, 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 플랫폼과 열압착 본딩(TCB), 패널 규모 집적 등 차세대 3D IC 스케일링과 로직·메모리 집적 기술로 협력 범위를 넓힌다. 양사는 2020년 싱가포르 어플라이드 첨단 패키징 개발 센터에 공동 CoE를 설립해 업계 최초의 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 통합 시스템 '키넥스'를 개발한 바 있다. 게리 디커슨 어플라이드 CEO와 리처드 블릭먼 베시 CEO는 이번 협력 확대로 인터커넥트 기술 전반에서 로드맵을 조기에 파악하고 패키징 전체 공정을 공동 최적화할 수 있을 것이라고 밝혔다.
삼성전자, D0a D램에 B1b 하이브리드 본딩 도입 — HBM5 적용도 검토
삼성전자가 차세대 D램 로드맵을 수정해 웨이퍼투웨이퍼(W2W) 하이브리드 본딩 기술인 'B1b'를 첫 10나노 미만 D램 'D0a'로 편입했다. 기존 D0a로 불리던 수직트랜지스터(VCT) D램은 'D0a-V'라는 별도 명칭으로 분리됐다. B1b는 메모리 셀과 페리 회로를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤 구리 배선을 직접 연결하는 방식으로, CMOS 이미지센서와 고적층 낸드에 이미 적용된 기술이다. 삼성전자는 B1b를 차세대 HBM5(8세대)에도 적용하는 방안을 검토 중이며, B1b 기반 D0a D램의 상용화는 빨라야 2년 후로 추산된다.
피스메이커스, HBM 대신 D램 하이브리드 본딩 — 엣지 AI 겨냥
난야 테크놀로지가 지분을 보유한 대만 D램 설계사 피스메이커스가 9월16일 대만 이머징보드에서 거래를 시작했다. 회사는 HBM 대신 프로세서 위에 D램을 하이브리드 본딩으로 직접 쌓는 방식을 추진하며, 엔비디아의 SRAM 기반 Groq LPU와 HBM 사이의 영역을 노린다고 사장 리샤오원이 밝혔다. 매출은 칩 판매보다 설계 용역(NRE) 수수료가 중심으로, AI 커스텀 설계 매출 비중이 2024년 약 4%에서 2026년 상반기 약 40%로 늘었다. 조셉 팅 회장은 첫 양산 고객 프로그램이 빨라야 2027년부터 실적에 반영될 것이라고 말했다. 상장 첫날 주가는 기준가 대비 23.6% 오른 채 마감했다.
