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"18a"

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파운드리·공정

인텔 노바레이크, 18A-P 첫 채택 — 데이터센터용 그래닛래피즈 증산 우선

인텔이 3분기 실적발표에서 차세대 데스크톱 프로세서 노바레이크가 개선된 18A-P 공정을 처음 적용하는 클라이언트 제품이라고 확인했다. CEO 립부 탄은 노바레이크의 디자인윈이 판터레이크 출시 당시의 두 배에 이를 것으로 예상된다며, 세부 내용은 1월 CES에서 공개하겠다고 밝혔다. CFO 데이비드 진스너는 오리건에 인텔3 라인을 구축하기 위해 판터레이크용으로 쓰이던 18A 웨이퍼 생산 일부를 중단하고, 이를 데이터센터용 그래닛래피즈 생산으로 돌릴 계획이라고 말했다. 인텔은 18A 기반 제품이 전체 클라이언트 CPU 매출의 3분의 1을 차지하게 됐다고 밝혔으며, 진스너는 메모리 가격·공급 영향으로 2026년 PC 시장 규모가 축소될 것으로 전망했다.

Tom's Hardware영문 원문
설계·EDA·IP

시놉시스 임베디드 메모리 IP, 인텔 18A서 PPA 개선 입증

임베디드 메모리가 AI 및 HPC SoC에서 전체 다이 면적의 절반 이상을 차지하며 대역폭, 지연시간, 에너지 효율을 제약하는 요인으로 지목됐다. 시놉시스는 게이트올어라운드(GAA) 소자와 후면전력공급망(BSPDN) 기술로의 전환에 맞춰 임베디드 메모리 IP를 디바이스 인식 아키텍처, 전력 최적화 설계, 구성 가능한 컴파일러로 대응한다고 밝혔다. 백서는 인텔 18A 공정에서 제작한 SRAM 및 레지스터 파일 테스트칩의 실리콘 결과를 제시했으며, 밀도는 5~10% 개선됐고 등전력(ISO-power) 성능은 최대 약 4% 향상됐다고 설명했다. 인텔의 리본펫(RibbonFET)과 파워비아(PowerVia) 기술이 PPA 개선과 첨단 공정 통합 리스크 감소에 기여한다고 덧붙였다.

Semiconductor Engineering영문 원문
파운드리·공정

인텔 팬서레이크 분해, 18A 후면전력배선·GAA 첫 상용화

SemiAnalysis가 인텔 팬서레이크(코어 울트라 7 365)를 분해해 18A 공정을 분석했다. 이 칩은 후면전력배선(PowerVia)과 인텔 최초의 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터인 리본펫, 포베로스-S 패키징을 처음 상용 적용했다. 컴퓨트 타일과 GPU 타일, I/O 타일이 수동 베이스 타일 위에 조립되며, GPU는 4코어 GT1(인텔3)과 12코어 GT2(TSMC N3E) 두 종류로 구성된다. 측정 결과 18A 컴퓨트 로직은 TSMC N3E GPU 로직과 유사한 로직 밀도를 보였으나, TSMC N3P·N2나 삼성 SF2보다는 최고 밀도에서 앞서지 못했다. CPU 코어는 점진적 개선에 그쳤고 상위 GPU는 여전히 TSMC N3E를 사용한다.

SemiAnalysis영문 원문↗
파운드리·공정

AI 데이터센터 전력전달 백서, 인텔 18A PowerVia 사례 소개

반도체 업계 매체 Semiconductor Engineering이 AI·HPC 워크로드 확산에 따른 전력전달 문제를 다룬 백서를 소개했다. 백서는 전류밀도 한계, 배선 혼잡, 멀티칩 아키텍처 복잡성 등을 지적하며 가속기·랙·데이터센터 단위로 전력전달 요구사항이 어떻게 변화하는지 살펴본다. 인텔 파운드리의 18A 공정 백사이드 전력전달(PowerVia)과 실리콘 커패시터 기술, 그리고 패키지 내에서 부하 지점에 더 가깝게 전력 변환을 배치하는 통합전압레귤레이터(IVR) 기술을 사례로 제시했다. 백서는 단일 해법을 제시하기보다 시스템 요구사항과 아키텍처 트레이드오프에 따라 선택할 수 있는 다양한 접근법을 소개한다고 밝혔다.

Semiconductor Engineering영문 원문
파운드리·공정

인텔 18A-P, 기존 설계룰 유지한 채 전력·성능 강화

인텔 파운드리는 2026 IEEE/JSAP VLSI 심포지엄에서 Intel 18A의 성능 강화 버전인 Intel 18A-P를 공개했다. 새로운 RibbonFET 디바이스 옵션과 트랜지스터·인터커넥트 개선, 설계기술 공동최적화(DTCO)를 통해 동일 전력에서 성능을 높이거나 동일 성능에서 전력을 낮췄다고 밝혔다. 고성능용 W3P(Power Boost) 디바이스는 PowerVia 후면 전력공급을 활용한 이중 콘택 구조로 저항을 낮추고 구동전류를 높였으며, 저전력용 W1·W1.5 디바이스도 함께 도입됐다. 인텔은 18A-P가 기존 18A와 동일한 SRAM 셀 설계와 디자인룰 호환성을 유지해 고객이 기존 설계 인프라를 그대로 활용할 수 있다고 설명했다.

Semiconductor Engineering영문 원문

Intel 18A Details & Cost, Future of DRAM 4F2 vs 3D, Backside Power Adoption (or Not), China’s FlipFET, Digital Twins from Atoms to Fabs, and More

SemiAnalysis영문 원문↗