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UIUC 연구진, 카본닷 계면층으로 2D반도체에 고유전율 산화물 증착
일리노이대(UIUC), 국립에너지기술연구소(NETL), 아르곤 국립연구소, 모나시대 공동 연구진이 2D 반도체 위에 고유전율(high-κ) 산화물을 통합하는 방법을 담은 논문을 네이처 커뮤니케이션즈에 발표했다. 연구진은 탄소점(carbon-dot) 단분자층을 반데르발스 계면층으로 활용해 초박막 고유전율 산화물을 증착할 수 있다고 설명했다. 이 원자 단위 두께의 조립 구조가 계면 역할을 해 산화물 증착을 가능하게 한다는 것이 논문의 핵심 요지다. 해당 논문은 2026년 10월 네이처 커뮤니케이션즈 17권에 게재됐다.
KAIST 등, 2D반도체 핵생성 위치 제어 기술 네이처에 발표
KAIST, TDS Innovation, 한양대, UNIST 등 공동 연구팀이 식각 플럭스를 이용해 2차원 반도체의 핵생성 위치를 결정론적으로 제어하는 기술을 발표했다. 기존 방식은 성장 영역을 선택적으로 제한할 수 있었지만, 그 영역 내에서 개별 핵이 정확히 어디에 생기는지는 무작위적으로 남아 있었다. 연구팀은 식각 플럭스 매개 단일중심 핵생성 방식으로 하나의 핵생성 사건을 특정 위치에 고정시키는 데 성공했다고 밝혔다. 이 연구 결과는 2026년 10월 Nature 658권 398~406쪽에 게재됐다.