"4나노"
공정 노드
뉴스
코아시아세미, 4나노 공정 스위치칩 양산 — HPC용 빅다이 출하
코아시아세미는 삼성전자 파운드리 4나노(nm) 공정으로 제작한 반도체 소자 웨이퍼의 양산 출하를 시작했다고 2일 밝혔다. 이 웨이퍼에 형성된 소자는 고성능 연산(HPC) 환경에서 고속 데이터 전송과 처리를 돕는 네트워크 스위치 칩이다. 칩 면적은 800mm² 이상으로, 코아시아세미가 수행한 프로젝트 중 가장 면적이 넓은 빅다이다. 단일 칩 면적이 넓을수록 수율 관리가 어려워 불량 확률이 높아지고, 전력 소모와 열 발생 등 설계 과정에서 고려할 변수도 많아 제작 난도가 높다.
코아시아세미, 삼성 4나노 파운드리서 HPC용 빅다이 양산 돌입
코아시아세미가 삼성전자 파운드리의 4나노 공정에서 고성능컴퓨팅(HPC)용 네트워크 스위치 반도체 양산에 돌입해 10월 중순 첫 웨이퍼를 출하했다. 이번 프로젝트는 2029년까지 총 1억7500만달러 규모로 진행되며, 칩 면적이 800mm²를 넘는 코아시아세미 역대 최대 크기의 빅다이 제품이다. 반도체 업계에서 빅다이는 면적이 넓을수록 수율 저하 위험과 발열·전력 설계 난도가 높아 디자인하우스의 기술 진입장벽이 가장 높은 분야로 꼽힌다. 코아시아세미는 리벨리온, 텐스토렌트 등과 칩렛 양산 협력을 이어온 데 이어 삼성 파운드리의 4나노 생산 물량을 확보해 실제 출하까지 이끌어냈다.
삼성전자 모뎀칩 2나노 전환, 4나노는 HBM 베이스다이로 재편
삼성전자 시스템LSI사업부가 외장형 5G 모뎀 M2800 시리즈의 제조 공정을 2나노로 결정했다. 기존 4나노로 생산하던 외장 모뎀 공정을 2나노로 전환하는 것이다. M2800은 2028년 출시될 갤럭시S28 시리즈에 탑재될 예정이며, 차세대 엑시노스 2800과 투칩 형태로 적용된다. 모뎀 공정이 2나노로 전환되면서 여유가 생기는 4나노 생산능력은 고대역폭메모리(HBM) 베이스다이 중심으로 재편되고 있다. 올해 4나노로 제조된 모뎀 M2700은 MX사업부의 테스트를 통과한 것으로 전해졌다.
세미파이브, 4나노 DSP 첫 양산 매출 실현
세미파이브가 4나노 공정 반도체 양산 사례를 처음으로 확보했다고 8일 밝혔다. 팹리스 업체 하이퍼엑셀의 4나노 칩 양산을 시작했으며, 공급 규모는 밝히지 않았지만 지난해 매출의 10%를 상회해 공시 대상이 됐다. 앞서 2024년 세미파이브는 하이퍼엑셀과 삼성전자 4나노 공정으로 '베르다'를 설계하겠다고 밝혔고, 당시 양산 목표는 2026년 1분기였으나 이번 양산은 기존 계획보다 2개 분기 늦어졌다. 매출 규모는 고객과의 비밀유지계약(NDA)으로 공개되지 않았다.
세미파이브 삼성 4나노 첫 양산 — 데이터센터 AI칩 반복매출 진입
세미파이브가 AI 반도체 스타트업 하이퍼엑셀의 데이터센터용 LLM 추론 가속기를 삼성 파운드리 4나노 공정으로 양산한다고 밝혔다. 삼성 4나노 공정을 적용한 세미파이브의 첫 대규모 양산 사례이며, 다이 크기 500㎟ 이상의 '빅다이' 칩으로 설계부터 패키징, 테스트, 양산까지 턴키로 수행했다. 앞서 한화비전 보안카메라용 AI칩과 일본 HPC용 AI 반도체 양산에 이어 세 번째 양산 궤도 진입 사례다. 조명현 세미파이브 대표는 AI가 학습에서 추론 중심으로 전환되며 데이터센터향 ASIC 가속기 수요가 급증하고 있다고 말했다.
세미파이브, 하이퍼엑셀 버사 삼성 4나노 양산 — 빅다이 턴키 입증
세미파이브가 하이퍼엑셀의 LLM AI 추론 가속기 '버사(Bertha)'에 대한 초도 양산 계약을 체결하고 삼성전자 4나노 공정에서 양산을 시작했다고 밝혔다. 서비스 확대에 따라 후속 발주도 이어질 것으로 예상된다고 전했다. 이번 프로젝트는 500㎟ 이상의 대면적 '빅다이' 칩에 대한 턴키 솔루션 제공 사례로, 최첨단 공정 대응 역량을 확인한 것으로 평가된다.
삼성 파운드리, 4나노 절반 HBM4 베이스다이 — 3분기 매출 확대 발판
삼성전자 파운드리사업부가 4나노 공정 생산능력의 50% 이상을 HBM4용 베이스 다이 제조에 할당한 것으로 알려졌다. 엔비디아, 브로드컴, AMD 등에 공급할 HBM4 물량을 3분기부터 본격 확대하기 위한 조치로 풀이된다. 베이스 다이는 D램을 적층한 코어 다이 아래에서 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원하는 역할을 한다. 업계 관계자는 4나노 공정이 풀가동 중이며 HBM4용 베이스 다이 비중이 하반기 내내 50~60%대를 유지할 것이라고 전했다. 삼성전자는 앞서 2분기 실적발표에서 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 늘어날 것으로 전망된다고 밝힌 바 있다.
인텔 14A 결함밀도, 22nm 이후 최고 속도 개선
인텔 데이비드 진스너 CFO는 도이체방크 2026 기술 컨퍼런스에서 1.4나노급 인텔 14A 공정의 결함밀도 개선 속도가 자체 목표보다 양호하며 22nm 공정 이후 가장 빠른 수준이라고 밝혔다. 14A는 2세대 리본펫 트랜지스터와 후면전력전달 기술 '파워다이렉트'를 적용하며 2027년 말 리스크 생산을 목표로 오레곤 힐스보로 D1X 팹에서 ASML 트윈스캔 EXE:5000 등을 활용해 연구가 진행 중이다. PDK 0.9는 10월 제공 예정이며, 내부 고객사인 인텔 프로덕트 그룹이 14A 기반 제품을 설계하고 있고 외부 고객사와도 생산역량·공급 관련 논의가 진행 중이라고 설명했다.