"4F²"
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마이크론, 4F² D램 포기 — 6F²·3D D램으로 전략 선회
마이크론 최고기술책임자(CTO) 스콧 디보어는 20년간 연구해온 4F² D램 셀 구조를 채택하지 않기로 했다고 밝혔다. 그는 D램 비트 밀도를 좌우하는 것은 트랜지스터 면적(4F² 대 6F²)이 아니라 커패시터 피치와 크기라며, 4F² 구조는 제조 복잡성과 비용만 늘린다고 설명했다. 대신 마이크론은 기존 6F² 구조를 유지하면서 커패시터 피치 축소, 첨단 리소그래피, 웨이퍼 본딩 등으로 D램 스케일링을 이어가고, 차세대 1δ 공정을 2027년 하반기 양산할 계획이라고 밝혔다. 장기적으로는 셀을 수직으로 쌓는 3D D램을 궁극적인 대안으로 제시했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 TechInsights에 따르면 여전히 4F² D램을 로드맵에 두고 있다.
중국 CXMT, 4F² 구조 서버용 D램 연말 상용화 예고
중국 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 연말까지 '4F스퀘어(4F²)' 구조를 적용한 차세대 서버용 D램 제품을 출시한다고 밝혔다. 4F²는 현재 D램 제조의 핵심 구조인 '6F²'보다 메모리 집적도를 높일 수 있는 기술이다. 삼성전자와 SK하이닉스도 4F² 상용화를 추진하고 있으나 CXMT가 먼저 상용화 계획을 발표했다. 이 소식이 전해진 다음 날 코스피에서 삼성전자 주가가 하락했다.
마이크론, D램 4F² 구조 포기 — 웨이퍼 본딩·3D 적층 택일
마이크론 테크놀로지가 차세대 D램 미세화의 핵심으로 꼽히던 4F²(4F 스퀘어) 셀 구조 도입을 공식 포기했다고 밝혔다. 마이크론은 10월 21일(현지시간) 기술 웨비나에서 기존 6F² 구조를 연장하는 대신 웨이퍼 본딩과 3차원(3D) 적층 기술로 이어지는 향후 10년간의 메모리 개발 로드맵을 공개했다. 이는 4F² 구조 도입을 추진해온 경쟁사들과는 다른 기술 경로를 택한 것이다. 전자신문이 단독 보도했다.
CXMT, 4F² DDR5 RDIMM 연내 출시 — 차세대 DRAM 셀 구조
CXMT 사장 차오칸위는 Yicai 보도를 통해 연내 첫 4F² 제품으로 서버용 DDR5 RDIMM을 출시할 계획이라고 밝혔다. 이 제품은 수직 트랜지스터를 적용해 셀 면적을 기존 6F² 대비 이론상 약 3분의 1 줄인 구조이며, 구체적인 속도나 용량은 공개되지 않았다. 차오 사장은 통합칩앤칩렛콘퍼런스에서 이같이 말했으며, CXMT가 수직 게이트(VSG) 트랜지스터 기술과 관련해 300개 이상의 특허 패밀리를 보유하고 있다고 설명했다. 보도에 따르면 업계 전반이 웨이퍼 레벨 하이브리드 본딩을 결합한 3D 방식의 4F² 기술로 이동하고 있으며, 삼성전자와 SK하이닉스도 각각 유사한 수직 채널 기반 4F² 설계를 공개한 바 있다.