"CXMT"
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엔비디아 황 CEO, 2029년 메모리 공급과잉 없다 전망
젠슨 황 엔비디아 CEO가 10월22일 독일 베를린에서 열린 GTC 현장의 CNBC 인터뷰에서 메모리 공급 과잉 가능성에 대해 그렇게 생각하지 않는다고 말했다. 이는 일각에서 제기된 2029년 메모리 공급 과잉 우려에 대한 반박으로 풀이된다. 황 CEO는 메모리의 장점은 언제든 더 많이 사용할 수 있다는 점이라며 메모리 수요가 점점 더 늘어날 것이라고 예견했다. 기사 제목에 따르면 그는 중국 CXMT 제품에 대해서도 가능성이 열려 있다는 입장을 밝힌 것으로 전해졌다.
메모리(DRAM·NAND·HBM)중국 CXMT, 4F² 구조 서버용 D램 연말 상용화 예고
중국 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 연말까지 '4F스퀘어(4F²)' 구조를 적용한 차세대 서버용 D램 제품을 출시한다고 밝혔다. 4F²는 현재 D램 제조의 핵심 구조인 '6F²'보다 메모리 집적도를 높일 수 있는 기술이다. 삼성전자와 SK하이닉스도 4F² 상용화를 추진하고 있으나 CXMT가 먼저 상용화 계획을 발표했다. 이 소식이 전해진 다음 날 코스피에서 삼성전자 주가가 하락했다.
CXMT 기술유출 전 삼성맨, 2심서 7년→5년 감형
중국 D램 업체 CXMT에 삼성전자 기술을 유출한 혐의로 1심에서 징역 7년을 선고받은 전직 삼성전자 직원이 항소심에서 5년형으로 감형됐다. 서울고등법원은 22일 산업기술 해외유출 사건 항소심에서, 피고인이 CXMT 재직 중 '허페이 프로젝트' 관련 설비투자 정보를 취합했지만 개발업무에 직접 관여하지 않았고 다른 CXMT 기술유출 사건 수사에 협조한 점 등을 감형 사유로 들었다. 피고인은 삼성전자에서 28년 근무한 뒤 2016년 CXMT로 이직해 18나노미터 D램 공정 투자계획인 허페이 프로젝트 발표에 참여했다. 함께 발표한 전직 삼성전자 출신 A씨는 1심에서 징역 6년을 선고받았다. 공소청과 피고인은 7일 안에 대법원에 상고할 수 있다.
CXMT 매출 급증설, AI 특수로 D램 삼성SK 추격 가속
중국 메모리기업 CXMT가 올해 3분기 매출이 전년 동기 대비 600%가량 급증할 것이라는 실적 전망을 내놨다. 중국 현지 매체 제일재경, 과창판일보 등에 따르면 CXMT는 이 같은 실적 개선의 배경으로 인공지능(AI) 관련 수요 증가를 지목했다. 회사는 이와 함께 최대 4000억원 규모의 자사주 매입도 추진한다고 밝혔다. 이는 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해온 글로벌 D램 시장에서 CXMT의 추격 움직임을 보여주는 사례로 거론된다.
CXMT 3분기 실적 급증세, D램 가격 상승에 흑자전환 전망
중국 메모리 기업 CXMT가 3분기 매출이 전년 동기 대비 589~619% 증가할 것으로 예상된다고 공지했다. 1~3분기 누적 매출도 전년 대비 725~741% 늘어날 전망이며, 전년 동기 누적 순손실에서 올해는 순이익으로 흑자전환이 예상된다. CXMT는 AI 컴퓨팅 수요 증가에 따른 D램 공급 부족과 가격 상승, 웨이퍼당 산출량 및 생산능력 가동률 개선을 실적 개선 배경으로 설명했다. 주이밍 CXMT 회장은 경영진 차원에서 자기자본 및 자체 조달을 통한 자사주 매입을 회사에 제안했다.
CXMT, 4F² DDR5 RDIMM 연내 출시 — 차세대 DRAM 셀 구조
CXMT 사장 차오칸위는 Yicai 보도를 통해 연내 첫 4F² 제품으로 서버용 DDR5 RDIMM을 출시할 계획이라고 밝혔다. 이 제품은 수직 트랜지스터를 적용해 셀 면적을 기존 6F² 대비 이론상 약 3분의 1 줄인 구조이며, 구체적인 속도나 용량은 공개되지 않았다. 차오 사장은 통합칩앤칩렛콘퍼런스에서 이같이 말했으며, CXMT가 수직 게이트(VSG) 트랜지스터 기술과 관련해 300개 이상의 특허 패밀리를 보유하고 있다고 설명했다. 보도에 따르면 업계 전반이 웨이퍼 레벨 하이브리드 본딩을 결합한 3D 방식의 4F² 기술로 이동하고 있으며, 삼성전자와 SK하이닉스도 각각 유사한 수직 채널 기반 4F² 설계를 공개한 바 있다.
삼성전자 출신 CXMT 피고인, 18나노 D램 기술유출 항소심 공방
서울고등법원에서 열린 산업기술 해외유출 사건 항소심에서, 삼성전자 출신으로 2016년 중국 CXMT에 입사한 피고인이 '허페이 프로젝트' 관련 설비투자 자료를 취합한 사실은 인정하면서도 18나노 공정 기술 자체는 몰랐다고 주장했다. 검찰은 피고인이 USB에 '삼성전자 18나노 공정'을 뜻하는 'D18' 파일명을 저장한 점과, 임플란터 전문가 영입 후 PRP(공정설계도) 세부 단계가 536개에서 615개로 늘어난 점을 근거로 기술유출 가능성을 추궁했다. 피고인은 1심에서 PRP를 엔지니어 기억만으로 재현할 수 있다고 주장했으나, 항소심에서는 이를 번복했다. 함께 입사한 B씨는 징역 6년을 선고받았고, 피고인 본인은 1심에서 징역 7년을 선고받았으며 2심 선고는 10월 하순 예정이다.
