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중국 DUV 다중패턴 첨단공정, EUV 공백을 메우다
Tom's Hardware의 주간 프리미엄 요약에 중국 첨단칩 제조 현황이 소개됐다. 전문가들은 중국이 EUV 노광장비 없이 기존 DUV 장비의 다중패턴 공정으로 첨단칩 제조를 이어가고 있지만, 다이 크기 증가·수율 저하·공정 시간 증가라는 비용이 커지고 있다고 분석했다. 같은 주간 요약에는 SSD 컨트롤러 업체 FADU가 발표한 File-Semantic SSD(FS-SSD) 백서도 포함됐는데, 파일시스템을 SSD 플래시에 직접 올려 호스트 CPU를 거치지 않고 GPU·DPU·NIC가 파일을 직접 열고 읽도록 하는 기술이다. FADU는 PCIe 6.0(Gen6) 컨트롤러 기반이며 파트너 샘플을 2027년 3분기까지 출하할 계획이라고 밝혔다. 요약에는 딥시크 신규 AI 모델이 이전보다 적은 HBM과 SSD 저장용량을 사용한다는 내용도 함께 다뤄졌다.
중국 반도체, DUV 다중패턴으로 EUV 대체 — 비용·수율 부담
ASML EUV 장비 수출통제로 중국 반도체 업체들은 DUV 노광 장비에 다중 패터닝을 적용해 첨단 칩을 만들고 있다. Fractilia의 크리스 맥은 노광 횟수가 늘수록 결함과 오버레이 오차가 누적되고, 다이가 커져 웨이퍼당 수율이 떨어진다고 설명했다. SMIC는 DUV 기반으로 Kirin 9000S(7나노급)에서 Kirin 9030(5나노급에 근접)까지 밀도를 높였지만 TSMC·삼성의 최신 공정에는 미치지 못한다. 모건스탠리는 CXMT의 웨이퍼당 비트 생산량이 서구 경쟁사의 약 3분의 1 수준이라고 추정했다. 반면 마이크론은 DUV와 다중 패터닝만으로 1-알파 D램을 개발해 EUV 없이도 경쟁력 있는 메모리 제조가 가능함을 보여줬다.
삼성 파운드리 8LPU+, DUV 8나노로 전장·로봇칩 공략
삼성전자 파운드리가 8나노 공정의 2세대 버전인 '8LPU+'를 연내 선보일 예정이다. 이 공정은 극자외선(EUV) 노광기 대신 심자외선(DUV) 노광기를 사용하는 성숙 공정 라인을 활용한다. 전 세대인 8LPU 대비 성능이 12% 향상됐다. 삼성전자는 2나노급 첨단 공정만큼 비용이 들지 않는 전장·로봇·엣지 AI 칩을 이 공정의 주요 타깃으로 삼고 있다.
중국, DUV 노광장비 343대 확보 — 7나노급 생산 잠재력 지목
미국 싱크탱크 CTS(Centre for Technology & Statecraft)는 중국 반도체 기업들이 2012년부터 2026년 초까지 ASML의 이머전 DUV 노광장비 343대를 들여왔다고 분석했다. 이 중 270대는 7나노급 공정에 쓰일 수 있는 Twinscan NXT:1980i이며, 22대는 NXT:2050i, 6대는 NXT:2000i로 추정된다. 네덜란드 정부는 2023년 9월 NXT:2000i 이상 기종에 수출 허가제를 도입했고 2024년 9월에는 NXT:1980i까지 규제를 확대했지만, 개별 수출 건은 여전히 승인될 수 있다. CTS는 저사양용으로 도입된 장비가 이후 더 발전된 공정에 전용될 수 있다는 허점을 지적하며 이머전 DUV 전체 수출 금지와 부품·유지보수 제한을 제안했다.
에스앤에스텍, OLED 블랭크마스크 소재 국책과제 돌입 — 삼성D 공급 도전
에스앤에스텍이 삼성디스플레이 납품을 목표로 산업통상부 소재부품산업기술혁신 사업의 일환인 OLED용 심자외선(DUV) 위상반전 블랭크마스크 박막 개발 과제를 지난 4월부터 진행하고 있다. 과제관리기관은 한국산업기술진흥원(KIAT)이며 연구기간은 2027년 12월까지다. 과제 목표는 에스앤에스텍이 개발한 블랭크마스크를 수요기업인 삼성디스플레이와 연계해 시제품 인정과 표준화를 완료하고 양산 제품화까지 도전하는 것이다. 에스앤에스텍은 이미 삼성디스플레이의 마스크 협력사이며, 별도로 삼성전자와는 극자외선(EUV)용 펠리클 프레임 특허를 지난 3월 공동 등록했다.