Semiconductor Engineering이 최신 반도체 기술 논문 목록을 정리해 공개했다. 아르곤 국립연구소와 UIUC는 칩·스케일업·스케일아웃 전반의 이종 시스템 설계에 에이전틱 AI를 적용한 연구를 내놨고, 샌디아 국립연구소와 룩셈부르크과학기술연구소는 GAAFET의 새로운 누설 경로를 예측 시뮬레이션으로 밝혔다. UC버클리·삼성전자·인텔은 나노전자기계식 게인셀 eDRAM을, 케이던스와 노터데임대는 3D-IC 열 모델링을 위한 AI 가속 반복 솔버를 제시했다. ETH취리히와 뉴욕대는 실제 HBM2 D램 칩을 이용한 전력 소비 분석 모델링 연구를, 컬럼비아대·구글딥마인드·구글은 에이전틱 시스템을 위한 EDA 인프라 재설계를 다뤘다.

Semiconductor Engineering2026-10-20영문 원문↗파운드리·공정

GAAFET 누설전류 경로 규명, 첨단 공정 신뢰성 과제로

미국 샌디아국립연구소와 룩셈부르크 과학기술연구소(LIST) 연구진이 GAAFET(Gate-All-Around FET)의 새로운 누설 경로를 규명한 기술 논문을 발표했다. GAAFET은 FinFET의 후속 구조로 첨단 공정 스케일링의 핵심으로 꼽히지만, 게이트 전압이 음의 방향으로 커질수록 드레인 전류가 열이온 방출 거동에서 벗어나 증가하는 현상이 측정에서 확인됐다. 연구진은 이 현상이 고유전율(high-k) 절연막을 통한 게이트-드레인 직접 터널링과 드레인 유도 유전체 장벽 저하(DIDBL)에 기인한다고 설명했다. 이를 규명하기 위해 Contact Block Reduction(CBR) 기법에 기반한 전하 자기일관적 비평형 그린함수(NEGF) 시뮬레이션을 사용해 누설 경로를 공간적으로 분석했다.

Semiconductor Engineering2026-10-14영문 원문

설계·EDA·IP

반도체 기술논문 모음, GAAFET·DRAM·보안 연구 총정리

Semiconductor Engineering이 최근 공개된 반도체 분야 기술논문들을 정리해 소개했다. HUST, 홍콩이공대, UC 산타바바라, 싱가포르국립대 연구진은 산소를 도핑한 WSe₂ 단일층 기반 p형 트랜지스터의 낮은 접촉저항과 높은 전류밀도를 보고했다. UC 산타크루즈는 2nm GAAFET 후면전력배선(BSPDN) 기술의 백사이드 클럭 메시 설계 공간을 탐구했고, 시러큐스대·FAU 에를랑겐뉘른베르크·드레스덴공대는 DRAM 내 행 병렬 연산 기법 RAPID를 제시했다. 이 외에 UC 버클리와 FuriosaAI는 대형언어모델 서빙용 고대역 플래시 특성을, 조지아텍 등은 CAN XL 통신규격의 정형 보안분석을, 인피니언과 뮌헨공대는 물리 소자에서 RTL 모델로의 추상화·검증 방법론을 각각 다뤘다.

Semiconductor Engineering2026-10-06영문 원문↗설계·EDA·IP

UCSC 백사이드 클럭 메시, 2나노 GAAFET 스큐·전력 줄여

캘리포니아대 산타크루즈(UCSC) 연구진이 2nm GAAFET 후면전력공급(BSPDN) 기술을 대상으로 백사이드 클럭 메시의 설계공간을 탐구한 논문을 발표했다. 백사이드 전력 공급은 웨이퍼 뒷면에 두껍고 저저항인 금속층을 추가하는데, 전력 그리드가 이를 모두 사용하지 않아 남는 공간이 생긴다는 점에 착안했다. 플립플롭은 여전히 전면에 있어 백사이드 메시가 이를 직접 구동할 수 없고, 모든 연결은 실리콘관통전극(TSV)을 거친다. 연구팀은 OpenROAD 툴을 이용해 2nm 나노시트 기술인 GT2N 상에서 백사이드 클럭 메시를 구현, 이 분야 최초의 설계공간 탐색 결과를 제시했다.

Semiconductor Engineering2026-10-05영문 원문

파운드리·공정

인텔 팬서레이크 분해, 18A 후면전력배선·GAA 첫 상용화

SemiAnalysis가 인텔 팬서레이크(코어 울트라 7 365)를 분해해 18A 공정을 분석했다. 이 칩은 후면전력배선(PowerVia)과 인텔 최초의 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터인 리본펫, 포베로스-S 패키징을 처음 상용 적용했다. 컴퓨트 타일과 GPU 타일, I/O 타일이 수동 베이스 타일 위에 조립되며, GPU는 4코어 GT1(인텔3)과 12코어 GT2(TSMC N3E) 두 종류로 구성된다. 측정 결과 18A 컴퓨트 로직은 TSMC N3E GPU 로직과 유사한 로직 밀도를 보였으나, TSMC N3P·N2나 삼성 SF2보다는 최고 밀도에서 앞서지 못했다. CPU 코어는 점진적 개선에 그쳤고 상위 GPU는 여전히 TSMC N3E를 사용한다.

SemiAnalysis2026-09-26영문 원문↗시장·실적·공급망

SUNeVision, UNSDGAA 2026 지속가능 브론즈상 수상

홍콩 SUNeVision Holdings(SEHK: 1686)가 UNSDGAA 2026에서 지속가능 조직 부문 브론즈상을 수상했다고 밝혔다. 이번 수상은 4년 연속으로, 회사 측은 지속가능성에 대한 노력과 홍콩의 탄소중립 목표 기여를 인정받았다고 설명했다. SUNeVision은 Sun Hung Kai 그룹의 기술 계열사로 소개됐다.

KIPOST2026-09-24↗파운드리·공정

IMECAS, EUV 없이 3nm급 GAA 구동 — 세부 스펙은 비공개

중국과학원 산하 IMECAS가 EUV 없이 이머전 DUV 리소그래피만으로 적층형 나노시트 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터를 만드는 실험적 공정을 개발해 동작하는 소자를 시연했다고 디지타임스가 보도했다. 국가 주요 특별프로젝트 02의 예톈춘 수석엔지니어는 베이징 IC 월드 콘퍼런스에서 IMECAS가 '초기 공정 통합'을 완료했다고 밝혔다. 시제품 소자의 Ion/Ioff 비율은 각각 9.7×10⁵과 7.6×10⁵로, 게이트 제어가 이뤄졌음을 보여주는 기준치인 5×10⁵를 넘었다. 다만 게이트 피치, 금속 피치, 나노시트 치수, 트랜지스터 밀도, SRAM 밀도 등 다른 3nm급 공정과 비교할 수 있는 세부 수치는 공개되지 않았다. IMECAS는 2020년부터 3nm 이하 노드를 겨냥한 GAA 기술을 개발해왔다고 밝혔다.

Tom's Hardware2026-09-21영문 원문

장비·소재·부품

아케마, 울산 GAA 저장시설 — PI첨단소재 원료 공급망 강화

프랑스 아케마가 한국 울산 HDOT 터미널에 3000세제곱미터 규모의 고순도 아크릴산(GAA) 저장시설을 확보했다고 21일 밝혔다. 아시아 내 아크릴계 제품 수요 증가에 대응하고 고객 서비스와 공급 안정성을 강화하기 위한 투자라고 설명했다. 신규 저장탱크는 한국 내 아케마의 고순도 아크릴산 사업을 위한 저장 허브 역할을 맡는다. 아케마 아크릴모노머 사업 에르베 카스트르 생 마르탱 사장은 한국 프로젝트가 동북아시아 전역의 시너지와 생산·공급·물류 네트워크 연계를 강화할 것이라고 밝혔다.

ZDNet Korea2026-09-21