"HBM3E"
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쿨스, HBM3E 패키징 본딩 속도 개선 기술 선보여
반도체 접합·열제어 기술기업 쿨스가 11월 4일 부산에서 열리는 국제 마이크로전자 패키징 심포지엄(ISMP 2026)에서 고대역폭메모리(HBM)와 광공동패키징(CPO)에 적용할 접합 기술을 발표할 예정이라고 밝혔다. 쿨스는 자체 시험에서 HBM3E 칩의 열압착 본딩 사이클을 7.0초에서 3.4초로 51% 단축했다고 설명했다. 회사는 이 수치가 특정 시험 조건에서 얻은 자체 측정값이며, 양산 공정 전체의 성능 개선을 입증한 것은 아니라고 덧붙였다.
콜로서스2 GB300 증설, HBM3E 수요 확대로 이어져
일론 머스크 테슬라 CEO는 X를 통해 AI 데이터센터 '콜로서스 2'에 탑재되는 엔비디아 칩 규모를 연말까지 대폭 늘리겠다고 밝혔다. 현재 GB200 11만개와 GB300 44만개가 탑재돼 있으며, 다음 주 GB300 22만개가 가동되고 11월과 12월 말까지 각각 22만개씩 추가될 예정이다. 계획대로면 하반기에만 66만개 칩이 추가된다. 콜로서스는 테네시주 멤피스에 위치한 xAI의 그록(Grok) 학습용 데이터센터로, 콜로서스 1은 H100·H200·GB200으로 구성돼 있고 머스크는 미시시피에 콜로서스 3도 구축 중이다.
삼성전자 HBM 점유율 33% 상승, 격차 축소는 HBM3E 단계 성과
카운터포인트리서치에 따르면 올 2분기 전세계 HBM 시장 점유율(매출액 기준)에서 SK하이닉스가 50%로 1위를 유지했지만 전 분기 및 전년 동기 대비 하락세를 보였다. 삼성전자는 33% 점유율로 전 분기 및 전년 동기 대비 점유율이 개선되면서 SK하이닉스와의 격차가 줄었다. 카운터포인트리서치는 삼성전자의 HBM4 출하 본격화로 점유율이 늘어날 것으로 내다봤다. 마이크론은 18% 점유율로 비교적 변동폭이 작았다. 카운터포인트리서치는 현재 HBM 매출 대부분이 HBM3E에서 발생하며 HBM4 출하는 하반기부터 본격화될 것이라고 밝혔다.
CXMT HBM3E 위험생산, 알리바바·캠브리콘 검증 착수
The Information 보도에 따르면 중국 창신메모리(CXMT)가 HBM3E 메모리의 위험생산을 시작했다. HBM4를 양산 중인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 3사보다 한 세대 뒤처졌지만, 상업용 DRAM을 넘어 고난도 적층·TSV·패키징 기술이 필요한 HBM 분야로 진입했다는 의미가 있다. 알리바바 T-Head, 캠브리콘 등 중국 프로세서 업체들이 CXMT의 HBM3E를 평가 중이며, 테스트와 검증이 계획대로 진행되면 내년부터 상용 제품에 적용될 수 있다고 전해졌다. HBM3E 양산이 현실화되면 중국은 첨단 AI 반도체 제작에서 해외 HBM 공급사에 대한 의존도를 낮출 수 있게 된다.