"High-NA EUV"
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영광YKMC, High-NA EUV 부품 양산 돌입 — 코스닥 상장 추진
영광와이케이엠씨(YKMC)가 2일 IPO 기자간담회를 열고 연 매출이 지난해 516억원에서 올해 800억원 이상으로 늘어날 것이라고 밝혔다. 이 회사는 반도체·디스플레이 제조장비용 챔버 및 정밀부품을 생산하며, 정밀가공과 특수표면처리·초고진공 세정·조립을 일괄 처리하는 체계를 갖췄다. 올해부터는 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV) 노광장비용 부품 선행 양산에 들어갔으며, 장관섭 대표는 해당 장비용 핵심 부품을 독점 공급한다고 밝혔다. 반도체향 챔버 라인은 기존 12종에서 내년 22종으로 늘리고, 공급량도 올해 3270대에서 내년 6000대 이상으로 확대할 계획이다. 회사는 이번 상장 자금을 생산거점 확보와 설비 확충에 투입하며, 코스닥 상장예정일은 이달 16일이다.
마이크론 1ε D램, 웨이퍼본딩 첫 적용 — EUV는 이후 세대로
마이크론이 4F2 셀 설계를 로드맵에서 제외하고, D램 미세화를 위한 새로운 방식을 도입한다고 밝혔다. 현재 양산 중인 1감마(1γ) 이후 2027년 하반기 양산 예정인 1델타(1δ)에 이어, 1엡실론(1ε) 공정부터 웨이퍼 본딩을 적용하고, 이후 세대인 제타옹스트롬(ζÅ)에는 하이-NA EUV 노광을, 에타옹스트롬(ηÅ)에는 신소재를 도입할 계획이다. 회사는 뉴욕 알바니 나노테크와 협력해 향후 5~10년간 쓰일 하이-NA EUV 기반 D램 공정을 개발 중이며, 3D D램(3D1, 3D2)도 로드맵에 올려두고 비용·성능 면에서 유리한 시점에 도입하기로 했다. 아울러 프로세서 위에 직접 적층하는 수직형 HBM(vHBM)과 수직형 엣지 추론 메모리(vEIM) 등 신규 메모리도 함께 개발하고 있다.
Pt-W 합금, 하이-NA EUV 마스크 흡수체 신소재로 연구
중국과학원, 지린대학교, 광학시스템첨단제조 국가핵심실험실, 중국과학원대학교 공동 연구진이 Pt-W 합금을 차세대 저굴절률(low-n) EUV 마스크 흡수체 소재로 평가한 논문을 발표했다. 연구는 이 합금 박막의 물성과 이미징 성능을 분석해 하이-NA EUV 마스크 흡수체로서의 적용 가능성을 살폈다. 해당 논문 'Evaluating an alternative Pt-W alloy as a low-n EUV mask absorber: Film properties and imaging performance'는 iScience에 2026년 8월 게재됐다.
ASML TWINSCAN EXE:5000 레고, 팬이 810피스로 재현
ASML은 2024년 12월 자사 최초의 High-NA EUV 장비인 TWINSCAN EXE:5000을 레고 키트로 제작해 직원 전용으로만 판매했다. X 이용자 @lithos_graphein는 레고 애호가 NightHawk119911이 디자인한 비공식 재현작(MOC)을 Rebrickable에 공유했는데, 152종의 부품과 총 810개의 브릭으로 구성되며 진공 펌프와 레이저 방출기 등 내부 디테일을 추가했다. 조립 설명서는 Rebrickable 웹사이트에서 무료로 내려받을 수 있다. 같은 이용자는 과거 ASML 레고 키트를 ASML 특별판 모노폴리 보드게임과 교환해 입수한 적도 있으며, TSMC와 SK하이닉스 등 다른 반도체 기업들도 희귀 사내 굿즈를 보유한 것으로 알려졌다.
Intel Puts High-NA EUV into Production, but Stitching Still Has Something to Prove
장비·소재·부품ASML, 하이-NA 마스크 대형화에 3사 협력 — 전환 수년 전망
ASML과 인텔, 삼성전자, TSMC가 하이-NA EUV 노광 장비용 6×12인치 포토마스크 전환을 위해 협력한다고 ASML이 보도자료를 통해 밝혔다. 하이-NA EUV는 0.55 수치개구로 8nm 단일노광 해상도를 구현해 0.33-NA EUV의 13nm보다 우수하지만, 애너모픽 광학계로 인해 기존 6×6인치 마스크로는 절반 면적만 노광할 수 있어 큰 다이는 두 번 노광해 이어붙이는 스티칭이 필요하다. 스티칭은 웨이퍼 처리량을 EXE:5200B 기준 시간당 최대 175장에서 약 125장으로 낮추고 설계 제약과 정렬 오차에 따른 수율 저하 위험을 동반한다. 6×12인치 마스크는 이런 스티칭 없이 기존 26×33mm 전체 노광 영역을 복원할 수 있지만, 마스크 제조·취급 인프라 전반의 개편이 필요해 전환에는 수년이 걸릴 것으로 전망된다.
TSMC, 2030년 하이-NA EUV 도입 계획 발표
TSMC가 2030년부터 0.55 NA 하이-NA EUV 노광 장비를 양산에 투입한다고 발표했다. 초기에는 기존 6×6인치 포토마스크를 사용하며, 2031년 6×12인치 마스크 파일럿 라인을 거쳐 2033년 첨단 공정 양산에 적용할 계획이다. 하이-NA EUV는 8nm 단일 노광 해상도를 지원해 현재 로우-NA EUV의 13nm보다 개선된 해상도를 제공하지만, 6×6인치 마스크 사용 시 노광 필드가 절반으로 줄어드는 한계가 있다. TSMC는 2029년 예정된 A12·A13에는 기존 EUV를 계속 사용한다고 밝혔으며, 톰스하드웨어는 A10 또는 A11이 하이-NA EUV를 처음 도입할 유력 후보라고 분석했다. ASML의 크리스토프 푸케 CEO는 반도체 제조사와 마스크 공급업체들의 초기 지지에 만족한다고 말했다.