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"Micron"

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Micron details ambitious DRAM and NAND roadmap — 3D NAND, High-NA EUV, new materials, and custom silicon makes a comeback

Tom's Hardware영문 원문↗
메모리(DRAM·NAND·HBM)

마이크론 대만, 생산직 보너스 지급 — 노조는 임금협상 지속

마이크론 대만 법인이 생산직 직원 약 4,300명 중 700명에게 5년치 연봉에 해당하는 보너스를 일괄 지급한다고 디지타임스가 보도했다. 나머지 직원들도 10월 중 세 차례의 보너스를 받으며, 여기에는 연간 성과급과 양산 보너스, 1인당 3만1000달러(100만 대만달러) 규모의 감사 보너스가 포함된다. 마이크론은 2027년 1월부터 현금과 주식으로 절반씩 지급하는 분기별 이익 보너스도 신설할 계획이다. 이 같은 보너스 지급은 마이크론 타오위안 노조와의 임금 협상이 이어지는 가운데 나온 것으로, 노조 측은 명확한 이익 분배 기준을 요구하며 하루 파업을 벌이기도 했다. 양측은 11월 6일 추가 협상을 진행할 예정이며, 마이크론 타이중 노조는 이미 연금 기여금 인상 등에 합의했다.

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메모리(DRAM·NAND·HBM)

마이크론 1ε D램, 웨이퍼본딩 첫 적용 — EUV는 이후 세대로

마이크론이 4F2 셀 설계를 로드맵에서 제외하고, D램 미세화를 위한 새로운 방식을 도입한다고 밝혔다. 현재 양산 중인 1감마(1γ) 이후 2027년 하반기 양산 예정인 1델타(1δ)에 이어, 1엡실론(1ε) 공정부터 웨이퍼 본딩을 적용하고, 이후 세대인 제타옹스트롬(ζÅ)에는 하이-NA EUV 노광을, 에타옹스트롬(ηÅ)에는 신소재를 도입할 계획이다. 회사는 뉴욕 알바니 나노테크와 협력해 향후 5~10년간 쓰일 하이-NA EUV 기반 D램 공정을 개발 중이며, 3D D램(3D1, 3D2)도 로드맵에 올려두고 비용·성능 면에서 유리한 시점에 도입하기로 했다. 아울러 프로세서 위에 직접 적층하는 수직형 HBM(vHBM)과 수직형 엣지 추론 메모리(vEIM) 등 신규 메모리도 함께 개발하고 있다.

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메모리(DRAM·NAND·HBM)

마이크론 차세대 G11 낸드, 웨이퍼 본딩으로 400단 돌파

마이크론이 2027년 하반기 양산을 목표로 차세대 3D 낸드 G11을 개발 중이라고 밝혔다. G11은 기존 G9 세대 대비 비트 밀도를 두 배로 높이고 입출력 성능을 최대 50% 향상시키며 전력 소비를 줄이는 것이 목표다. 이를 위해 YMTC가 앞서 적용한 웨이퍼-온-웨이퍼 본딩 기술을 도입해 메모리 셀 어레이와 주변 로직을 별도 공정으로 제작한 뒤 결합하는 방식을 택했다. 또한 활성 워드라인 수는 공개하지 않았지만 400단 이상의 적층과 업계 최고 수준의 셀 피치를 적용할 계획이다. 마이크론은 G11 이후에도 신소재와 고밀도 셀 구조 개발을 통해 적층 수 증가와 셀 치수 축소를 병행하는 방향으로 낸드 스케일링을 이어갈 것이라고 설명했다.

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메모리(DRAM·NAND·HBM)

마이크론, 4F² D램 포기 — 6F²·3D D램으로 전략 선회

마이크론 최고기술책임자(CTO) 스콧 디보어는 20년간 연구해온 4F² D램 셀 구조를 채택하지 않기로 했다고 밝혔다. 그는 D램 비트 밀도를 좌우하는 것은 트랜지스터 면적(4F² 대 6F²)이 아니라 커패시터 피치와 크기라며, 4F² 구조는 제조 복잡성과 비용만 늘린다고 설명했다. 대신 마이크론은 기존 6F² 구조를 유지하면서 커패시터 피치 축소, 첨단 리소그래피, 웨이퍼 본딩 등으로 D램 스케일링을 이어가고, 차세대 1δ 공정을 2027년 하반기 양산할 계획이라고 밝혔다. 장기적으로는 셀을 수직으로 쌓는 3D D램을 궁극적인 대안으로 제시했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 TechInsights에 따르면 여전히 4F² D램을 로드맵에 두고 있다.

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메모리(DRAM·NAND·HBM)

마이크론 대만 타오위안 노조, 10월22일 파업 — HBM·DDR5 생산 차질 우려

로이터에 따르면 마이크론 대만 타오위안 사업장 노조가 10월 22일 하루 파업에 나선다. 노조는 올해 성과급에 대한 구체적 제시와 향후 이익 공유를 위한 명확한 기준 마련을 요구하고 있으며, 9월 협상이 결렬된 뒤 10월 초 쟁의행위를 가결했다. 마이크론의 가장 큰 대만 생산기지인 타이중 사업장 노조는 같은 날 회사와 조정 절차를 진행할 예정이지만 아직 파업을 승인하지는 않았다. 타오위안과 타이중 공장은 DDR5, LPDDR 등 범용 메모리와 AI 가속기용 HBM을 생산하며, 마이크론은 대만에서 약 1만 5000명을 고용하고 있다.

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시장·실적·공급망

머스크, 마이크론에 호평 — 삼성·SK하이닉스 메모리값 비판

일론 머스크가 X에 올린 글에서 메모리 업체들의 '과도한' 가격 정책을 비판하며, 마이크론은 상대적으로 합리적인 가격 정책을 취하고 있다고 평가했다. 그는 회사명을 직접 언급하지 않았지만 삼성전자와 SK하이닉스를 겨냥한 것으로 해석된다. 마이크론은 2026 회계연도 4분기 실적에서 매출과 매출총이익률이 모두 크게 상승해 높은 수익성을 기록했다. 메모리 업체들은 장기공급계약(LTA) 체결을 늘리고 있으며, 삼성전자는 2027년 생산량의 상당 부분을 장기계약으로 확보했다고 한국경제신문이 보도했다. 업계 관계자들은 메모리 공급 부족이 2028년까지 이어질 것으로 전망했다고 전했다.

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메모리(DRAM·NAND·HBM)

마이크론 소비자 메모리 사업부, 영업이익률 88%로 전사 최고치 기록

마이크론이 2026 회계연도 4분기 실적에서 매출 542억3000만 달러로 전년 동기 대비 약 5배 늘어난 분기 최대 기록을 세웠다고 밝혔다. 전사 매출총이익률은 87%로 사상 최고치를 기록했으며, 네 개 사업부 중 모바일·클라이언트(소비자) 사업부의 영업이익률이 88%로 가장 높았다. 이 사업부는 유일하게 전분기 대비 출하 비트가 줄었지만 가격 상승 효과로 매출이 늘었다고 회사는 설명했다. 마이크론은 2027 회계연도 1분기에도 매출이 또 다른 기록을 세울 것으로 전망했으며, 2027년과 2028년 메모리·스토리지 시장이 공급 부족 상태를 유지할 것으로 내다봤다.

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