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"V-NAND"
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메모리(DRAM·NAND·HBM)
삼성전자 V10 낸드 400단 돌파, zNAND-O로 온디바이스 AI 공략
삼성전자는 중국 선전에서 열린 GMIF2026 기조연설에서 에이전틱 AI를 위한 메모리·스토리지 풀스택 포트폴리오를 공개했다. KV 캐시 공유용 서버 SSD로 PCIe Gen6 기반 PM1763과 V9 QLC 기반 BM1773(16TB~256TB)을 소개했으며, PM1763은 2026년 4분기 샘플 출하를 예정하고 있다. 또한 업계 최초로 400단 이상을 구현한 V10 BV-NAND를 선보였는데, V9 대비 비트 밀도 58% 향상, I/O 33% 개선, 소비 전력 25% 절감을 달성했다. 온디바이스 AI를 위한 차세대 낸드 아키텍처 zNAND-O도 공개했으며, MPU와 패키징돼 UCIe 인터페이스로 연결되고 DRAM 대비 10배의 비트 밀도를 구현한다. 삼성 반도체는 이날 AI 메모리 및 스토리지 산업 우수 리더십상을 수상했다.
삼성 반도체, GMIF2026에서 400단 이상 V-NAND와 zNAND-O 선보이며 에이전틱 AI의 토대 제시
메모리(DRAM·NAND·HBM)삼성전자, GMIF2026서 400단 V-NAND로 AI 메모리 전략 공개
삼성전자는 중국 선전에서 열린 제5회 GMIF2026(글로벌 메모리 혁신 포럼)에 참가해 400단 이상의 V-NAND와 zNAND-O 기술을 공개했다. 이 포럼은 선전메모리산업협회와 베이징대 집적회로대학원(School of Integrated Circuits)이 공동 주최했다. 삼성전자는 해당 기술들을 에이전틱 AI를 뒷받침할 메모리 기반으로 소개했다.