"zNAND-O"
뉴스
삼성전자 V10 낸드 400단 돌파, zNAND-O로 온디바이스 AI 공략
삼성전자는 중국 선전에서 열린 GMIF2026 기조연설에서 에이전틱 AI를 위한 메모리·스토리지 풀스택 포트폴리오를 공개했다. KV 캐시 공유용 서버 SSD로 PCIe Gen6 기반 PM1763과 V9 QLC 기반 BM1773(16TB~256TB)을 소개했으며, PM1763은 2026년 4분기 샘플 출하를 예정하고 있다. 또한 업계 최초로 400단 이상을 구현한 V10 BV-NAND를 선보였는데, V9 대비 비트 밀도 58% 향상, I/O 33% 개선, 소비 전력 25% 절감을 달성했다. 온디바이스 AI를 위한 차세대 낸드 아키텍처 zNAND-O도 공개했으며, MPU와 패키징돼 UCIe 인터페이스로 연결되고 DRAM 대비 10배의 비트 밀도를 구현한다. 삼성 반도체는 이날 AI 메모리 및 스토리지 산업 우수 리더십상을 수상했다.
삼성 반도체, GMIF2026에서 400단 이상 V-NAND와 zNAND-O 선보이며 에이전틱 AI의 토대 제시
메모리(DRAM·NAND·HBM)삼성전자, GMIF2026서 400단 V-NAND로 AI 메모리 전략 공개
삼성전자는 중국 선전에서 열린 제5회 GMIF2026(글로벌 메모리 혁신 포럼)에 참가해 400단 이상의 V-NAND와 zNAND-O 기술을 공개했다. 이 포럼은 선전메모리산업협회와 베이징대 집적회로대학원(School of Integrated Circuits)이 공동 주최했다. 삼성전자는 해당 기술들을 에이전틱 AI를 뒷받침할 메모리 기반으로 소개했다.
삼성전자 큐브 전략, HBM5·zNAND-O 수직 적층 로드맵
삼성전자가 메모리와 연산장치를 수직으로 쌓아 동일 면적에서 용량을 늘리고 데이터 이동 거리를 줄이는 3D 적층 전략을 공개했다. HBM5에 이어 zHBM, zNAND-O를 독자 개발한다는 계획이다. 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 9월 1일 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2026' 메모리 이그제큐티브 서밋 기조연설에서 '큐브(CUBE)' 전략을 발표했다. 이 전략은 용량(Capacity), 최적화(Utilization), 대역폭(Bandwidth) 등을 축으로 한다.
삼성전자 CUBE 전략 발표, HBM 이어 zNAND-O 로드맵 공개
삼성전자 최장석 상무가 세미콘 타이완 2026 기조연설에서 수직 적층 메모리 기술 비전인 'CUBE' 전략을 발표했다. 용량, 최적화, 대역폭, 전력·열 효율 향상을 통해 PCB 면적 제약 없이 메모리 용량을 늘리고 다이 간 거리 단축으로 대역폭을 개선하겠다는 구상이다. 삼성전자는 HBM2부터 HBM4E, HBM5까지 세대별 기술을 고도화해왔으며, zHBM과 zNAND-O 등 신규 제품 개발도 진행 중이라고 밝혔다. zNAND-O는 2028년 샘플링을 시작할 계획이다.
