고려대, '스킨 패시베이션' 적용 리튬-황 전지 음극 개발
고려대 KU-KIST융합대학원 윤영수 교수 연구팀이 전극 표면에 얇은 고분자 층을 입힌 리튬-황 전지용 음극을 구현했다. 맥신(MXene)에 폴리스티렌 나노입자를 섞어 진공 여과한 뒤 열처리로 나노입자를 제거해 3차원 다공성 호스트를 만들고, 그 겉면에 100 nm 두께의 폴리에틸렌글리콜 디메타크릴레이트 박막(Skin-PASS)을 형성했다.…
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KIST, 2030년 5천 큐비트급 RPU 개발 추진
KIST가 삼성전자, 가온칩스와 함께 CMOS 기반 RPU(랜덤처리장치) 칩 설계를 완료했다고 17일 밝혔다. 차세대반도체연구소는 맥스컷, SAT, TSP 등 알고리즘 3종을 구현했으며, 삼성전자와 가온칩스가 각각 파운드리와 디자인하우스를 지원했다. 2030년까지 5,000 큐비트급 RPU를 개발해 10의 30승에 달하는 경우의 수 연산을 목표로 하며, 최종적으로는 2034년 현재 기술로 불가능한 연산 수행을 목표로 한다. 개발이 완료되면 기존 대비 연산능력 1,000배, 전력소비는 100분의 1 수준을 달성할 계획이라고 밝혔다.
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KIST, 2030년 5000큐비트급 RPU 세계 최초 개발 추진
한국과학기술연구원(KIST)이 삼성전자, 가온칩스와 함께 CMOS 기반 RPU(랜덤처리장치) 칩 설계를 완료했다고 9월 17일 'KIST 임무중심연구소 대국민보고대회'에서 밝혔다. 현대, 네이버, 쿠팡 등이 참여해 2030년까지 5,000 큐비트급 RPU를 개발, 10의 30승에 이르는 경우의 수 문제를 처리하는 것이 목표다. 현재는 맥스컷, SAT, TSP 등 알고리즘 3종 구현에 성공한 단계이며, 삼성전자와 가온칩스가 각각 파운드리와 디자인하우스를 지원했다. 최종 목표는 2034년까지 기존 대비 연산능력 1,000배, 전력소비…
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KIST, 2030년까지 5,000 큐비트급 RPU 개발 목표 제시
한국과학기술연구원(KIST)이 삼성전자, 가온칩스와 함께 CMOS 기반 RPU(랜덤처리장치) 칩 설계를 완료하고, 맥스컷·SAT·TSP 등 3종 알고리즘 구현에 성공했다고 밝혔다. KIST는 오는 2030년까지 현대, 네이버, 쿠팡 등과 함께 5,000 큐비트급 RPU를 개발해 세계 최초 랜덤연산 프로세서를 구현하고, 2034년에는 현재 기술로 불가능한 연산 수행을 최종 목표로 제시했다. 이는 장준연 KIST 부원장이 17일 'KIST 임무중심연구소 대국민보고대회'에서 차세대반도체연구소 성과 및 목표로 공개한 내용이다.
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고려대·KIST, 뉴런·시냅스 겸용 뉴로모픽 소자 개발
고려대 KU-KIST융합대학원/융합에너지공학과 왕건욱 교수 연구진과 KIST 양성욱 박사 연구진이 공동으로 '재구성형 뉴로모픽 소자' 기술을 개발했다. 연구진은 바나듐 산화물 멤리스터 하나의 내부 구조를 제어해 비휘발성(인공 시냅스)과 휘발성(인공 뉴런) 특성을 동시에 구현했다. 열처리를 통해 소자 내부에 비대칭적인 나노다공성 구조와 산소공공을 형성했으며, 구멍과 결함이 많은 영역은 시냅스, 구조가 촘촘한 영역은 뉴런 기능을 한다.…
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조선대 KIST 유럽연구소와 손잡고 국제 공동연구/인재교류 나선다
조선대가 앵커사업단·글로컬대학추진단·G-LAMP사업단 등 특성화사업단을 한꺼번에 협약에 참여시킨 것은, 지역대학이 개별 사업 실적을 국제화 성과와 묶어 보여주려는 시도로 읽힌다. 실제로 인턴십·공동지도 등 협력이 구체화되는지는 본문에서 예고한 후속 실무협의 결과를 통해 확인할 수 있다.
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KAIST, 2D 반도체용 범용 전극접촉 기술 개발
KAIST 서준기 교수팀이 연세대·KIST·UNIST·삼성전자·중국 베이징 계산과학연구센터와 공동으로 이셀레늄화주석(SnSe₂)을 이용한 '범용 반데르발스 터널링 주입기'를 개발했다. 이 소재는 반데르발스 힘으로 반도체와 맞닿아 단층 2차원 반도체 손상 없이 매끄러운 전극 접촉을 구현한다. p형 이셀레늄화텅스텐(WSe₂) 트랜지스터는 기존 니켈 전극 대비 최대 구동 전류가 1,000배 이상 증가했고, n형 이황화몰리브덴(MoS₂) 트랜지스터는 온·오프 전류비가 10억 이상을 기록했다. 연구팀은 두 트랜지스터를 결합한 CMOS 인버…
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KAIST, 단층 2차원 반도체용 만능 전극 소재 개발
KAIST 서준기 교수 연구팀이 연세대·KIST·UNIST, 삼성전자, 중국 베이징 계산과학연구센터와 공동으로 이셀레늄화주석(SnSe₂)을 이용한 '범용 반데르발스 터널링 주입기'를 개발했다. 이 소재는 금속 전극 증착 시 발생하는 단층 결정 손상과 접촉 장벽 문제를 해결해, p형 WSe₂와 n형 MoS₂ 등 서로 다른 초박막 반도체에 모두 적용할 수 있다. 실험에서 이셀레늄화주석을 적용한 p형 WSe₂ 트랜지스터는 기존 니켈 전극 소자보다 구동 전류가 크게 증가했고, n형 MoS₂ 트랜지스터는 온·오프 전류비가 10억 이상을 기…
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