그록, 차세대 AI칩에 D램 3D 적층 패키징 검토
요약
반도체 업계에 따르면 AI 반도체 기업 그록이 차세대 칩에 D램을 수직으로 쌓는 3D 패키징 기술 도입을 검토하고 있다. 기존에는 속도가 빠르지만 용량이 작은 S램을 썼는데, 이를 대신해 TSV로 D램을 쌓는 3DS 방식을 적용해 칩 용량을 늘리려는 시도다. 3DS는 TSV를 쓴다는 점에서 HBM과 비슷하지만 데이터 전송속도보다 기존 D램 인터페이스를 유지한 채 용량 확대에 초점을 맞춘다. 업계 관계자들은 시장이 대용량 칩을 선호하는 흐름 속에서 그록이 용량에 강점이 있는 D램을 택했다고 분석했다.
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중국 최대 D램 제조업체 CXMT가 생산 수율이 20~30%에 그치는 상태에서도 AI 반도체용 HBM3E 생산에 나섰다. 로이터는 28일 CXMT가 HBM3E 시제품을 중국 내 여러 AI 칩 설계업체에 공급했으며 2개월 안에 제한적 생산을 시작할 계획이라고 보도했다. 미국의 수출 규제로…
중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 낮은 수율에도 HBM 생산을 추진하고 있다. 미국의 수출 규제로 중국 내 AI 메모리 확보가 어려워지자 생산비 부담을 감수하고 공급에 나선 것이다. 로이터통신은 28일(현지시각) 사안에 정통한 관계자들을 인용해 CXMT가 중국 AI 반도체 설…
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