패키징·후공정네오와인 HBM 특허 등록, TSV 결함 통로 폐기로 수율개선
보안반도체 팹리스 네오와인이 결함이 있는 실리콘관통전극(TSV) 통로를 폐기하는 방식으로 고대역폭메모리(HBM) 수율 문제를 개선하는 원천기술을 개발했다. 이 회사는 '고대역폭메모리 장치'라는 명칭으로 국내 특허 등록을 마쳤고 미국 출원도 완료했다. HBM은 D램 다이를 12~16단 이상 수직으로 쌓고 수천 개의 TSV로 연결하는 구조로, 공정 특성상 TSV 하나의 결함이 전체 수율에 영향을 줄 수 있다는 점이 업계의 고질적 과제로 꼽혀왔다. 네오와인은 보안반도체를 주력으로 하는 팹리스 기업이다.
전자신문