"커패시터"
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HZO 강유전체 커패시터, 서울대서 서브볼트 고속 스위칭 구현
서울대 연구진이 TiN 전극 및 계면 설계를 통해 강유전체 HZO(하프늄지르코늄옥사이드) 커패시터의 속도-내구성 딜레마를 해결한 연구 결과를 네이처 커뮤니케이션즈에 발표했다. 연구팀은 0.6V에서 42.1ns, 1.0V에서 8.1ns의 분극 스위칭 속도를 구현했으며, 0.6V 조건에서 분극 손실 20% 기준으로 수천억 회의 스위칭 사이클과 10^12회의 양극성 사이클링에서도 전기적 파괴 없이 동작함을 확인했다. 이를 바탕으로 연구팀은 트랜지스터 1개와 커패시터 1개로 구성된 공통 플레이트 강유전체 램(CP-FeRAM) 구조를 제안하고 회로 시뮬레이션으로 읽기 동작을 평가했다. 이 구조는 저장된 전하가 감소한 뒤에도 분극 상태를 감지하는 방식으로, D램형 메모리에 적용 가능한 경로로 제시됐다.
ALD 원자층증착, 나노시트·D램 커패시터 공정 핵심으로
원자층증착(ALD)은 1974년 핀란드의 투오모 순톨라와 동료들이 첫 특허를 출원한 기술로, 20년 전 칩이 소형화되고 3차원 구조로 바뀌면서 기존 공정이 공정 편차를 감당하지 못하자 필수 공정으로 자리 잡았다. 현재 ALD는 나노시트 채널, 고종횡비(HAR) 콘택, D램 커패시터 스택 등에서 옹스트롬 단위의 두께 제어와 거의 완벽한 단차 피복성을 구현하는 데 쓰인다. 해당 기고문은 이 같은 정밀도가 박막 아래 표면에서 갈린다는 점을 다룰 예정이나, 제공된 본문은 서두에서 끊겨 구체적 내용은 확인되지 않는다.
상용위성 확산, COTS 커패시터 조달전략 재검토 촉발
상업용 위성 배치가 늘어나면서 엔지니어들이 우주 응용 분야의 전통적인 부품 조달 전략을 재검토하고 있다. 미션 신뢰성은 여전히 핵심 요건으로 남아 있으며, 이런 흐름 속에서 상용 기성품(COTS) 커패시터 소싱 방식이 논의되고 있다.
LG이노텍, 임베디드 기판에 실리콘 커패시터 탑재
LG이노텍이 인천 송도컨벤시아에서 열린 'KPCA Show 2026'에서 AI 반도체용 FC-BGA 내부에 실리콘 커패시터를 내장한 임베디드 기판 샘플을 공개했다. 실리콘 커패시터를 기판 코어층과 빌드업층에 각각 내장한 두 가지 구조를 선보였다. 이와 함께 능동소자와 브릿지를 기판에 내장하는 기술도 개발 중이다. AI 반도체 고성능화로 안정적인 전력 공급의 중요성이 커지면서 FC-BGA 중심의 임베디드 기판 수요가 늘고 있다.
