"GaN"
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전력·화합물반도체SiC·GaN·IGBT 전력트랜지스터, 응용 조건별 선택 기준이 성능 좌우
Semiconductor Engineering은 실리콘 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET, GaN HEMT 중 어떤 전력 트랜지스터가 우수한지는 기술 자체보다 응용 조건에 따라 달라진다고 분석했다. 버스 전압, 전류 프로파일, 스위칭 주파수, 허용 온도 상승, 제어 전략, 커뮤테이션 거동, PCB 파라시틱, 시스템 비용 목표가 선택을 좌우하는 요소로 제시됐다. 하드 스위칭 구조에서는 턴온 손실과 커뮤테이션 거동이, 소프트 스위칭 구조에서는 커뮤테이션할 전하량과 가용 전류, 소프트 스위칭 유지 능력이 중요하다고 설명했다. PFC, 공진형 변환, 동기 정류, 모터 드라이브 등 응용 사례에서는 소자 손실이 적다고 항상 최적 결과로 이어지지 않으며 열 여유·보드 설계·제어 방식·시스템 총비용이 함께 영향을 미친다고 덧붙였다. 단순 소자 교체로 해결되는 경우와 토폴로지 변경 또는 하이브리드 구현이 더 효과적인 경우도 구분해 제시했다.
마스터GaN7, ST마이크로 신제품 — 650V GaN 전력밀도 강화
ST마이크로일렉트로닉스가 28일 마스터GaN7 디바이스를 출시했다고 밝혔다. 신제품은 최대 정격전류 6A의 650V 인핸스먼트 모드 갈륨나이트라이드(GaN) 트랜지스터 2개를 하프 브리지로 구성했으며, 고전압·고주파 게이트 드라이버와 부트스트랩 다이오드를 통합했다. 게이트 구동전압을 안정화하는 LDO 레귤레이터와 핀 제어 셧다운 모드를 적용해 45ns 전파 지연시간, 최대 2MHz 스위칭 주파수로 동작한다. 전원 어댑터, 충전기, 산업용 조명장비, 태양광 마이크로인버터 등에 쓰일 수 있으며, 액티브 클램프 플라이백과 LLC 컨버터 등 다양한 토폴로지를 지원한다.
로옴 BM85060FV, GaN 대응 PFC IC로 변환효율 99%
로옴이 GaN HEMT의 고주파 스위칭에 최적화된 토템폴 방식 PFC 컨트롤러 IC 'BM85060FV'를 개발했다. 이 제품은 300W~500W급 AC-DC 전원에서 시스템 레벨 99%의 변환 효율을 구현하며, 무부하 시 소비전류를 일반 제품 대비 70% 낮은 150μA로 줄여 대기전력을 크게 낮췄다. 이를 통해 미국 DoE Level7과 유럽 CoC Tier2 등 글로벌 에너지 절약 규격을 만족하는 전원 설계를 지원한다. 낙뢰 서지 대책 등 각종 보호 기능도 내장해 설계 부담을 줄였으며, 로옴은 330W급 TP-PFC 평가 보드도 함께 제공한다.
전력·화합물반도체인피니언, 엔비디아 AI서버용 GaN 전력칩 공급 확대
인피니언이 엔비디아와 AI 데이터센터용 800V 직류(DC) 전력변환 기술 개발 협력을 확대한다고 21일(현지시간) 밝혔다. 이번 협력은 800V를 서버 보드용 중간 전압으로 낮추는 고전압 중간버스컨버터(HV IBC)에 질화갈륨(GaN) 전력반도체와 제어 솔루션을 공급하는 내용이다. 이는 지난해 발표된 협력의 연장으로, 당시에는 800V 서버 랙의 보호회로 개발이 중심이었다. IBC는 서버로 들어온 고전압을 보드 내부에서 쓰이는 전압으로 낮춰주는 장치다.
유그린 GaN 충전기, 질화갈륨 반도체로 발열·크기 개선
유그린이 질화갈륨(GaN) 반도체를 적용한 100W 벽걸이형 충전기 Nexode를 소개했다. 이 제품은 USB Type-C 3개와 USB Type-A 1개 포트를 갖춰 여러 기기를 동시에 충전할 수 있으며, GaN 반도체는 기존 실리콘보다 높은 전압을 견디면서 발열을 줄이고 어댑터 크기를 최대 절반까지 줄여준다. 접이식 플러그 구조로 휴대성도 높였다. 맥북, 아이폰, 갤럭시, 아이패드, 스팀덱 등 다양한 기기와 호환되지만, 일부 델·레노버 노트북은 충전 프로토콜 제한으로 최대 속도로 충전되지 않을 수 있다고 제조사는 설명했다. 온도 센서와 PWM 칩을 통한 전력 조절 등 보호 기능도 탑재됐다.
정책·수출통제·보조금울프스피드, 美서 15억달러 대출 약정 — SiC·GaN 생산 확대
미국 반도체 기업 울프스피드가 국방부 전략자본실(OSC)로부터 30년 만기 15억달러 규모의 조건부 대출 약정서를 받았다. 울프스피드는 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN) 소재·소자를 전문으로 하며, 이 자금을 GaN 에피택시 공정 역량 강화와 SiC 및 차세대 GaN 제품의 내방사선 기술 개발에 사용할 계획이다. 회사는 통신 인프라와 전자전 시스템 등 국방부 관련 미국 국가안보 응용 분야에 집중하겠다고 밝혔다. 대출 조건에 따라 울프스피드는 국방부에 완전희석 기준 지분 최대 7.5%를 매입할 수 있는 워런트를 지급해야 하며, 실사 완료와 정부 승인, 기존 대출기관 동의 등을 거쳐야 하는 조건부 사안이다.