SiC·GaN·IGBT 전력트랜지스터, 응용 조건별 선택 기준이 성능 좌우

Semiconductor Engineering은 실리콘 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET, GaN HEMT 중 어떤 전력 트랜지스터가 우수한지는 기술 자체보다 응용 조건에 따라 달라진다고 분석했다. 버스 전압, 전류 프로파일, 스위칭 주파수, 허용 온도 상승, 제어 전략, 커뮤테이션 거동, PCB 파라시틱, 시스템 비용 목표가 선택을 좌우하는 요소로 제시됐다. 하드 스위칭 구조에서는 턴온 손실과 커뮤테이션 거동이, 소프트 스위칭 구조에서는 커뮤테이션할 전하량과 가용 전류, 소프트 스위칭 유지 능력이 중요하다고 설명했다. PFC, 공진형 변환, 동기 정류, 모터 드라이브 등 응용 사례에서는 소자 손실이 적다고 항상 최적 결과로 이어지지 않으며 열 여유·보드 설계·제어 방식·시스템 총비용이 함께 영향을 미친다고 덧붙였다. 단순 소자 교체로 해결되는 경우와 토폴로지 변경 또는 하이브리드 구현이 더 효과적인 경우도 구분해 제시했다.

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