메모리(DRAM·NAND·HBM)HZO 강유전체 커패시터, 서울대서 서브볼트 고속 스위칭 구현
서울대 연구진이 TiN 전극 및 계면 설계를 통해 강유전체 HZO(하프늄지르코늄옥사이드) 커패시터의 속도-내구성 딜레마를 해결한 연구 결과를 네이처 커뮤니케이션즈에 발표했다. 연구팀은 0.6V에서 42.1ns, 1.0V에서 8.1ns의 분극 스위칭 속도를 구현했으며, 0.6V 조건에서 분극 손실 20% 기준으로 수천억 회의 스위칭 사이클과 10^12회의 양극성 사이클링에서도 전기적 파괴 없이 동작함을 확인했다. 이를 바탕으로 연구팀은 트랜지스터 1개와 커패시터 1개로 구성된 공통 플레이트 강유전체 램(CP-FeRAM) 구조를 제안하고 회로 시뮬레이션으로 읽기 동작을 평가했다. 이 구조는 저장된 전하가 감소한 뒤에도 분극 상태를 감지하는 방식으로, D램형 메모리에 적용 가능한 경로로 제시됐다.
Semiconductor Engineering영문 원문