인피니언, 전기차용 전력 반도체를 300mm 원판에서 처음 생산

독일 반도체 회사 인피니언이 오스트리아 빌라흐 공장에서 지름 300mm 실리콘카바이드(SiC, 전기를 효율적으로 다루는 반도체 재료) 웨이퍼를 실제 생산 조건에서 처리했다고 밝혔다. 웨이퍼는 반도체 칩을 찍어내는 둥근 판이다. 회사는 이 일을 반도체 제조에서 자사가 처음 해냈다고 설명했다. 실리콘을 다루던 기존 설비를 그대로 썼다. 인피니언에 따르면 300mm 판 한 장에서는 200mm 판보다 약 2.3배 많은 칩이 나온다. 다만 양산을 언제 늘릴지는 아직 밝히지 않았고, 고객·협력사와 함께 정하겠다고 했다. 기존 200mm SiC 생산 계획은 그대로 이어 간다.

SiC는 전력을 다루는 반도체 재료 가운데 지금 가장 중요한 축으로 꼽힌다. 흔히 쓰는 실리콘과 비교하면 전력 손실이 적고, 높은 전압과 높은 온도에서도 효율이 좋다. 전기차에서는 모터를 돌리는 인버터와 차에 달린 충전기, 그리고 충전소 설비에 들어간다. 고정형 저장장치와 산업용 모터에도 쓰인다. 인피니언은 드레스덴 공장에서 결정 덩어리를 잘라 웨이퍼를 떼어내는 '콜드 스플릿' 방식을 300mm SiC에 적용하는 시험도 마쳤다. 기존 와이어 절단보다 재료 손실이 적고 시간이 짧아, 같은 덩어리에서 더 많은 판을 얻을 수 있다는 설명이다.

이 발표는 빌라흐의 300mm 전환 계획 위에 얹힌 것이다. 인피니언은 이곳에서 질화갈륨(GaN) 재료의 200mm→300mm 전환을 이미 준비했고, 10월 말에는 2034년까지 약 11억 유로를 투자한다고 알렸다. 300mm 웨이퍼를 쓴 GaN 전력 반도체의 대량 생산은 2027년 말 시작 예정이다. 이번 SiC까지 포함하면 실리콘·질화갈륨·실리콘카바이드 세 재료 모두 300mm 방식으로 가는 셈이다. 차를 사고 타는 사람 입장에서 지금 단계는 '생산 방식을 처음 시험해 본' 쪽에 가깝다. 판이 커지면 한 번에 더 많은 칩을 만들 수 있어 길게 보면 대량 생산이 수월해질 수 있지만, 인피니언은 부품 가격이 얼마나 내려갈지에 대해서는 따로 말하지 않았다.

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