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"서울대"

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메모리(DRAM·NAND·HBM)

HZO 강유전체 커패시터, 서울대서 서브볼트 고속 스위칭 구현

서울대 연구진이 TiN 전극 및 계면 설계를 통해 강유전체 HZO(하프늄지르코늄옥사이드) 커패시터의 속도-내구성 딜레마를 해결한 연구 결과를 네이처 커뮤니케이션즈에 발표했다. 연구팀은 0.6V에서 42.1ns, 1.0V에서 8.1ns의 분극 스위칭 속도를 구현했으며, 0.6V 조건에서 분극 손실 20% 기준으로 수천억 회의 스위칭 사이클과 10^12회의 양극성 사이클링에서도 전기적 파괴 없이 동작함을 확인했다. 이를 바탕으로 연구팀은 트랜지스터 1개와 커패시터 1개로 구성된 공통 플레이트 강유전체 램(CP-FeRAM) 구조를 제안하고 회로 시뮬레이션으로 읽기 동작을 평가했다. 이 구조는 저장된 전하가 감소한 뒤에도 분극 상태를 감지하는 방식으로, D램형 메모리에 적용 가능한 경로로 제시됐다.

Semiconductor Engineering영문 원문
장비·소재·부품

멀티스케일인스트루먼트, 반도체 계측장비 투자 유치 — AFM 기술 활용

서울대학교기술지주가 반도체 미세 구조 측정 장비를 개발하는 스타트업 멀티스케일인스트루먼트에 신규 투자했다. 이번 투자에는 한국투자파트너스, 아이디벤처스, 기술보증기금도 함께 참여했다. 멀티스케일인스트루먼트는 수정 진동자 기반 원자현미경(AFM) 기술을 활용해 반도체 계측 속도와 정밀도를 높이는 장비를 개발하고 있다. 회사는 투자금을 바탕으로 시제품 제작과 산업용 장비 개발을 추진할 계획이다.

테크42
패키징·후공정

서울대·연세대, 멤리스터-TFT 3D 집적형 리저버컴퓨팅 소자 구현

서울대학교와 연세대학교 공동 연구팀이 멤리스터와 박막트랜지스터(TFT)를 모놀리식 3차원으로 집적한 리저버컴퓨팅(저장소컴퓨팅) 소자에 관한 연구 결과를 네이처 커뮤니케이션즈에 발표했다. 연구팀은 Ru/HfO2/TiN 구조의 멤리스터와 In2O3 채널 TFT를 수직으로 결합해, TFT가 멤리스터의 전도도 변화 동역학을 조절하도록 했다. 기존 하드웨어 리저버는 소재 고유의 이완 시간에 의해 동작 속도가 고정되거나 제한적으로만 조절되는 한계가 있었는데, 이번 소자는 전기적 신호로 넓은 시간 범위에 걸쳐 시간적 동역학을 프로그래밍할 수 있다는 점이 특징이다.

Semiconductor Engineering영문 원문
국내 반도체 생태계

서울대 AI반도체 혁신연구소 개소, 석박사 110명 양성 추진

서울대학교가 9월 29일 서울 관악 반도체공동연구소 설계연구관 도연홀에서 AI 반도체 혁신 연구소 개소식을 열었다. 이 연구소는 과학기술정보통신부와 정보통신기획평가원이 추진하는 산학연계 AI 반도체 선도기술 인재양성 사업의 수행기관이다. 2031년까지 총 110억원의 정부 지원을 받아 매년 20명 이상, 누적 110명 이상의 석박사급 AI 반도체 인재를 양성할 계획이다. 초대 연구소장은 류수정 서울대 교수가 맡았다.

디일렉 반도체
국내 반도체 생태계

AI반도체혁신연구소 출범, 서울대서 시스템 반도체 인재 키운다

서울대학교가 9월 29일 관악캠퍼스 반도체공동연구소에서 'AI반도체혁신연구소' 개소식을 열고 운영을 시작했다. 이 연구소는 과학기술정보통신부와 정보통신기획평가원(IITP)의 '산학연계 AI반도체 선도기술 인재양성 사업' 수행기관으로 선정돼 2026년부터 2031년까지 5년간 정부 지원 110억원을 받는다. 매년 20명 이상, 총 110명 이상의 석·박사급 인재를 양성할 계획이며 류수정 소장을 중심으로 5개 연구센터를 가동한다. 주요 협력기업은 LG전자, 퓨리오사AI, 아날로그AI, 제노스큐브 코리아, 스퀴즈비츠 등이며, 협력기업이 제시한 산업 현장 기술 문제를 연구과제로 전환해 참여 학생이 반도체 설계부터 구현·검증까지 전 과정을 직접 수행하도록 운영한다.

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국내 반도체 생태계

최우석 서울대 교수, SK하이닉스에서 특허 최우수상 — 메모리 전원잡음 해결

최우석 서울대 교수가 SK하이닉스 '2026 산학연구과제 우수발명 시상식'에서 최우수상을 받았다. 수상작은 연산 칩과 메모리 간 데이터를 더 빠르고 적은 전력으로 전송하는 '차세대 다중 레벨 신호 전송 회로 설계' 특허로, 초고속 메모리 인터페이스의 전원 잡음 문제를 해결했다는 평가를 받았다. 우수상은 김형준 연세대 교수, 장려상은 황철성 서울대·최병준 서울과기대·한재덕 한양대 교수가 수상했다. 행사는 지난해 출원된 산학특허 26건을 심사해 총 5건을 선정해 16일 SK하이닉스 이천캠퍼스에서 열렸다.

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