어플라이드-인텔, AI 반도체 공정·3D 패키징 공동개발
요약
어플라이드 머티어리얼즈와 인텔이 AI 반도체용 차세대 트랜지스터·인터커넥트·첨단 패키징 기술 개발을 위해 협력한다고 6일(현지시간) 밝혔다. 트랜지스터와 배선 공정부터 칩을 수직으로 쌓는 3D 적층 기술까지 공동 연구를 진행해 상용화를 앞당긴다는 계획이다. 연구는 어플라이드의 미국 실리콘밸리 EPIC 센터와 인텔의 오리건주 힐스보로 연구개발 캠퍼스를 거점으로 이뤄진다.
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이 일이 어디서 왔나
어플라이드 머티어리얼즈는 10월 2일 베시(Besi)를 자사 EPIC 센터의 혁신 파트너로 합류시키며 하이브리드 본딩 등 첨단 패키징 공동개발을 확대한 바 있다. 이번에는 같은 EPIC 센터를 거점으로 인텔과도 트랜지스터·인터커넥트·3D 패키징 공동연구를 추진한다고 밝혀, 장비업체가 복수의 반도체 기업과 동시에 공정 초기 단계 협력망을 넓히는 모습이다. TSMC가 미국 텍사스에 수십조원 규모 신공장을 검토하는 등 AI 반도체발 미국 내 생산·연구 투자 경쁄도 맞물려 있다.
짚어야 할 점
- 같은 어플라이드 EPIC 센터가 베시(패키징 장비)와 인텔(파운드리)을 동시에 파트너로 끌어들인 것으로, 장비업체가 여러 반도체 기업의 공동개발 허브 역할을 하는 구조가 뚜렷해지고 있다.
- 트랜지스터·배선 공정부터 3D 적층까지 전 공정을 묶은 협력이라는 점에서, AI 반도체 성능 향상이 단일 기술이 아니라 소자·배선·패키징이 함께 풀어야 할 과제라는 점을 보여준다.
- TSMC의 텍사스 신공장 검토, 인텔-어플라이드 협력 등 미국 내 첨단 공정·패키징 투자가 동시에 보도되며 AI 반도체 생산 기지를 둘러싼 경쟁 구도가 부각된다.
아직 확인되지 않은 것
- 이번 공동연구의 구체적 기술 로드맵이나 상용화 시점은 제시되지 않아, 실제 제품화까지 걸릴 기간은 확인되지 않았다.
- 연구에 투입되는 금액이나 인력 규모 등 투자 조건은 공개되지 않았다.
- 이번 협력이 인텔 파운드리 사업의 고객 확보나 경쟁력에 어떤 영향을 미칠지에 대한 분석은 나오지 않았다.
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