유창식 교수 "커스텀 D램 폭증, 팹리스·파운드리 분업화 온다"

유창식 성균관대 교수(전 삼성전자 메모리사업부 부사장)는 15일 서울 코엑스에서 열린 반도체 산학연 교류 워크숍에서 AI 시스템용 D램 기술을 주제로 발표했다. 그는 CPU·GPU 발전 속도에 비해 메모리 성능 개선이 뒤처지는 '메모리 월' 현상이 심화하고 있으며, D램 미세화 한계로 로해머 현상과 이를 막기 위한 온다이 ECC 회로로 인한 면적 손실이 발생하고 있다고 진단했다. 수직 트랜지스터 구조의 4F² D램이나 셀을 다층으로 쌓는 구조, 웨이퍼 투 웨이퍼 본딩 공정이 차세대 D램의 변곡점이 될 것으로 전망했다. 또 범용 D램과 별개로 고객 맞춤형 '커스텀 D램' 수요가 커지면서, 이를 전문 설계하는 'D램 팹리스'와 위탁생산하는 'D램 파운드리' 비즈니스가 새롭게 등장할 것이라고 내다봤다.

이 일이 어디서 왔나

D램 시장은 2026년 10월 들어 공급 부족과 가격 급등이 이어지는 가운데(난야 최대 20% 인상, 10월 7일), 삼성·SK하이닉스·마이크론 3사가 매출 점유율 상위를 지키며 범용 D램 호황의 수혜를 보고 있다. 동시에 엑시나 같은 메모리 반도체 팹리스가 '메모리 중심 컴퓨팅'을 내세우며 범용 메모리와 다른 설계 수요를 겨냥하는 움직임도 나타났다(10월 5일 전자신문). 유창식 교수의 이번 발표는 이런 흐름 속에서 메모리 업계의 미세화 한계와 수요 다변화를 기술적 관점에서 짚은 것이다.