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AI 인프라·반도체

SK하이닉스, HBF·3D D램으로 AI 메모리 병목 해결 제시

IT조선·2026-10-14

요약

SK하이닉스 안현 개발총괄(사장)이 10월 14일 서울 코엑스에서 열린 '반도체대전(SEDEX) 2026' 기조연설에서 AI 추론 환경의 용량 부족과 데이터 병목을 해결할 차세대 메모리 로드맵을 공개했다. HBM 대비 용량을 10배 늘린 고대역폭플래시(HBF)의 세부 목표 규격과, 로직 위에 D램을 얹는 '3D 적층 D램' 구상을 제시했다. 안 사장은 과거 메모리 장벽이 연산기와 메모리 사이에서 발생했던 것과 달리, 이제는 서로 다른 메모리 계층 간 병목이 새로운 과제라고 설명했다.

큐레이터 노트

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AI 추론 확산으로 메모리 용량 수요가 커지면서, HBM 이후를 겨냥한 차세대 메모리 구조 구상이 업계 화두로 떠오르고 있음을 보여준다.

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이 일이 어디서 왔나

애플 CEO가 메모리 공급난을 '절대적 위기'로 규정하고, 스마트폰 출하량이 14년來 최저치로 떨어지는 등 AI발 메모리 품귀가 하류 산업 전반을 흔드는 가운데, SK하이닉스는 같은 날 정부·삼성전자 등과 '연산성능 100배' 반도체 개발 협의체를 출범시키며 차세대 메모리 구상을 함께 내놨다. HBM 공급 부족이 가격 급등과 품귀로 이어진 현 상황에서, 이번 발표는 HBM 다음 세대 메모리 구조를 선점하려는 움직임으로 볼 수 있다.

짚어야 할 점

  • 이번에 제시된 HBF·3D 적층 D램은 당장의 공급 부족을 메우는 기술이 아니라 차세대 로드맵이어서, 애플이 호소하는 '절대적 위기'나 스마트폰 출하량 급감과는 시간축이 다르다.
  • 같은 날 열린 'K-문샷' 민관 협의체 출범과 맞물려, SK하이닉스의 메모리 계층 구상이 정부 주도 반도체 전략과 어떻게 연계되는지 지켜볼 지점이다.
  • 중국 CXMT가 셀 구조 혁신을 발표해 삼성·SK 주가가 급락했던 것과 비교하면, 이번 HBF·3D D램 제시는 기술 주도권을 다시 부각하려는 성격도 있다.
  • 머스크가 마이크론의 가격 정책을 칭찬하며 다른 제조사를 겨냥한 비판을 내놓은 직후 나온 발표라, 가격·공급 논란 속에서 기술력으로 메시지를 전환하려는 시점으로도 읽힌다.

아직 확인되지 않은 것

  • HBF·3D 적층 D램이 실제 양산이나 상용화에 이르는 시점은 이번 발표에서 확인되지 않았다.
  • 이 차세대 구조가 현재 진행 중인 메모리 가격 급등과 공급 부족 문제를 언제, 어느 정도 완화할 수 있는지는 밝혀지지 않았다.
  • K-문샷 협의체의 목표인 '연산성능 100배' 개선과 이번 HBF·3D D램 구상이 구체적으로 어떻게 결합되는지에 대한 설명은 나오지 않았다.

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