삼성전자 3D 큐브-H, AI 반도체용 하이브리드 본딩 패키징

삼성전자가 하이브리드 본딩 기술을 적용한 첨단 패키징 '3D 큐브-H' 개발을 내년 초까지 마무리할 계획인 것으로 전해졌습니다. 3D 큐브는 칩을 수직으로 쌓아 같은 면적에 더 많은 트랜지스터를 넣는 패키징 기술로, 삼성전자는 이미 열압착(TC) 본딩 방식인 '3D 큐브-T'를 개발한 바 있습니다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩의 구리 단자를 직접 이어붙이는 방식으로, TC 본딩보다 단자 간 거리를 훨씬 좁게 만들 수 있고 발열과 전력 효율에서도 유리한 것으로 알려졌습니다. 업계 관계자에 따르면 내년 초 첫 디자인 키트가 완성되면 이후 잠재 고객과 평가를 시작할 계획입니다. 이 기술은 초고성능 인공지능(AI) 반도체에서 수요가 늘어날 것으로 전망됩니다.

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