SK하이닉스·삼성전자, HBM 고발열 해법에 다른 전략 제시

ISMP 2026 기조연연설에서 SK하이닉스와 삼성전자가 HBM 초고단 적층 시 발생하는 고발열·저수율 문제에 대한 해법을 각각 공개했다. SK하이닉스는 칩 설계 면적을 일부 희생하는 '아키텍처 공동 설계(STCO)' 방식을 제시했다. 삼성전자는 메모리·로직·광학을 함께 고려하는 '시스템 레벨 공동 최적화(SCU)' 전략을 발표했다. 두 회사는 같은 난제에 서로 다른 접근법으로 첨단 패키징 기술 진화 방향을 제시했다.
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이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: 전자신문 「[ISMP 2026]HBM 한계 돌파…SK하이닉스 '면적 희생' vs 삼성전자 '시스템 동시 최적화'」
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