엣지 AI 반도체 초저전압 설계, 파운데이션 IP가 관건

엣지 AI 반도체(SoC)는 실시간 처리를 하면서도 전력과 발열을 줄여야 해서, 공급 전압을 문턱값 근처인 약 0.4~0.5V까지 낮추는 '니어 쓰레숄드' 설계가 늘고 있어요. 다만 이 영역에서는 신호 지연이 비선형적으로 커지고 소자 편차가 심해져서, 기존 설계 방식으로는 동작을 예측하기 어려워진다고 해요. 그래서 메모리·로직 라이브러리·입출력(I/O) 같은 '파운데이션 IP'를 EDA 설계 툴과 실리콘 검증에 긴밀히 맞춰 초기 단계부터 최적화하는 게 중요해졌다고 밝혔어요. 예시로 단일 전원 메모리는 약 600mV까지 동작이 검증됐고, 듀얼 레일 메모리는 ISSCC 2025에서 3나노 핀펫 공정으로 380/540mV 조건에서 38Mb/mm² 밀도의 SRAM이 검증됐다고 설명했어요.
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